【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型MOSFET AS7328S，封装为SOP-8

时间： 2020-07-19 来源：安邦

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安邦（ANBON）的P沟道增强型MOSFET AS7328S，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻R_DS(on)MAX为20mΩ@-10V，35mΩ@-4.5V，漏源击穿电压V_(BR)DSS为-30V，连续漏极电流 I_D 为-9.1A，封装为SOP-8，可应用于电池保护，负载开关，电源管理等领域。

图1 产品外形图

图2 电路原理图

绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）

封装尺寸图

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安邦MOS选型表

安邦低阻抗、大电流MOS,电压覆盖到20V至200V,N/P沟道可选，最大工作结温150℃

产品型号	品类	Package	Polarity	VDS(V)	VGS(V)	VGS(th)_Max(V)	ID(A)	RDS(on)_Max(mΩ)4.5V	RDS(on)_Max(mΩ)2.5V	RDS(on)_Max(mΩ)1.8V
AS2002E	MOSFET	SOT-23	N	20V	±12V	1V	0.75A	380mΩ	450mΩ	800mΩ

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产品型号	品类	Package	Polarity	VDS (V)	VGS (V)	VGS(th)_Max (V)	ID (A)	RDS(on)_Max (mΩ) 4.5V	RDS(on)_Max (mΩ) 2.5V	RDS(on)_Max (mΩ) 1.8V
AS2002E	LV MOSFET	SOT-23	N	20	±12	1	0.75	380	450	800