【产品】N沟道增强型场效应晶体管2N7002KCX，具有低输入电容，快速开关速度等特点

时间： 2022-01-18 来源：扬杰科技

代理服务

技术支持

采购服务

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管 2N7002KCX，采用SOT-563封装。在Ta=25℃时，其漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。具有电压控制小信号开关，低输入电容，快速开关速度等特点，符合RoHS标准认证。

产品外观和内部电路图

产品概要：

● VDS最大60V
● ID最大300mA（Ta=25℃）

● RDS(ON)( VGS=10V时)＜2.5ohm
● RDS(ON)( VGS=4.5V时)＜3.0ohm
● ESD保护值高达2.0KV (HBM)

一般说明：

● 沟槽功率中压MOSFET技术

● 电压控制小信号开关

● 低输入电容

● 快速开关速度

● 低输入/输出泄漏电流

应用：

● DC-DC转换器

● 便携式设备的负载开关

最大额定参数(Ta=25℃，除非特别说明)：

订阅信息：

电气特性（Ta=25℃，除非特别说明)：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】规格为20A/60V的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A，适用于电源管理功能和背光等

时科推出的N沟道增强型场效应晶体管SK20N06A，采用Trench Power MV MOSFET技术，优秀的散热封装及低RDS(ON)的高密度单元设计，使其特别适用于DC-DC转换器，电源管理功能和背光等应用。

2022-09-05 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】采用DFN3.3x3.3封装的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，漏-源电压达20V

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，采用沟槽型功率低压MOSFET技术；采用DFN3.3x3.3封装，有利于散热；采用高密度单元设计，可实现低RDS(ON) 。主要应用于DC-DC转换器,电源管理功能等领域。

2022-11-24 - 产品代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技立即选型

YJH03N10A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJH03N10A型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力。适用于直流-直流转换器和电源管理功能。

型号- YJH03N10A

3-Nov-22 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.3.1 代理服务技术支持采购服务

YJG2D0G04AQ N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料详细介绍了YJG2D0G04AQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域和电气特性。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能，适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等领域。

型号- YJG2D0G04AQ

19-Oct-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG110G10B N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJG110G10B型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性能。它适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

型号- YJG110G10B

24-Oct-23 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。

2020-11-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

YJG2D4G03AF N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料详细介绍了YJG2D4G03AF型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、热阻、封装信息以及典型应用。该产品适用于功率开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

型号- YJG2D4G03AF

19-Sep-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻、高热散耗能力和良好的封装设计，适用于直流转换器、电源管理和背光等应用。

型号- YJG20N06A

24-Oct-23 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.3.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJGD20G10BQ N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJGD20G10BQ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性、应用范围和电学参数。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高速开关性能，适用于汽车电子系统、工业和电机驱动等领域。

型号- YJGD20G10BQ

15-Apr-23 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG2D7G03A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料详细介绍了YJG2D7G03AF型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、热特性、封装信息以及测试电路等。该产品适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

型号- YJG2D7G03A

23-Sep-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJD50N06A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJD50N06A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench 功率 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高热散耗能力和良好的封装设计。

型号- YJD50N06A

26-May-23 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.3.1 代理服务技术支持采购服务

YJQ62G06A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料介绍了YJQ62G06A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，适用于直流-直流转换器和功率管理功能。

型号- YJQ62G06A

8-Jun-21 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJG4D4G04A N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料详细介绍了YJG4D4G04A型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有40V的漏源电压、80A的连续漏极电流和小于4.4mΩ的导通电阻，适用于开关电源、不间断电源和DC-DC转换器等应用。

型号- YJG4D4G04A

5-Sep-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJQ4D8G04H N沟道增强型场效应晶体管

描述- 本资料详细介绍了YJQ4D8G04H型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有40V的漏源电压、75A的连续漏极电流和小于4.8mΩ的导通电阻。产品经过100%的EAS和△VDS测试，具有优异的热散包封设计、高密度单元格设计以实现低导通电阻，并符合RoHS标准。资料还提供了该产品的电气特性、热特性、封装信息以及典型应用。

型号- YJQ4D8G04H

4-Jun-24 - 扬杰科技 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务