【产品】符合AEC-Q101认证的650V碳化硅肖特基势垒二极管P3D06006E2，具有零反向恢复电流

时间： 2022-03-27 来源：派恩杰

技术问答

P3D06006E2是派恩杰（PN Junction）推出的一款650V碳化硅肖特基势垒二极管（SIC SBD），采用TO-252-2封装，具有超快的开关速度、零反向恢复电流、适于高频工作和VF具有正向温度系数等特性。该SiC SBD的开关损耗几乎为零，能提高系统效率，降低了对散热器的要求。其反向重复峰值电压为650V（Tc=25℃），正向非重复浪涌电流为45A（Tc=25℃，tp=10ms），器件结到壳热阻为2.19℃/W，工作结温和存储温度范围宽至-55℃~175℃，总电容电荷典型值为15.6nC（V_R=400V，I_F=6A，T_J=25℃），产品适用于消费类SMPS（开关模式电源）、PFC以及DC/DC的升压二极管和AC/DC转换器等应用领域，其产品实物图和PIN脚如下图所示：

产品特征

符合AEC-Q101认证
超快的开关速度
零反向恢复电流
高频工作
V_F具有正向温度系数
高浪涌电流
通过100% UIS测试

产品优点

提高了系统效率
降低了对散热器的要求
开关损耗几乎为零
并联使用不会出现热失控

产品应用

消费类SMPS（开关模式电源）
PFC或DC/DC的升压二极管
AC/DC转换器

最大额定值

电气参数

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派恩杰碳化硅二极管(SIC SBD)选型表

派恩杰推出碳化硅二极管(SIC SBD)，覆盖常规电压650-1200V，额定电流2-40A

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Current Rating(A)	QC(nC)	IFRM@25℃(A)	Forward Voltage(VF(type)(V)	I(FSM)@25℃(A)
P3D06002E2	碳化硅二极管	650V	2A	4.72nC	10A	1.5V	18A

选型表 - 派恩杰立即选型

P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC Schottky Diode

型号- P3D06002E2

数据手册 - 派恩杰 - Ver. 1.4 - May. 2024 PDF 英文下载

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应用方案发布时间 : 2020-05-02

SSC0865 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 650V, 8A SiC SBD

型号- SSC0865

数据手册 - 时科 - REV.08 - 2024/4/1 PDF 英文下载

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新产品发布时间 : 2019-11-28