【产品】60V/80A N沟道功率MOSFET BLM08N06，采用先进的沟槽技术，漏源导通电阻＜8.0mΩ
BLM08N06是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供优良的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件有广泛的应用领域，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。
产品外观和原理示意图
特点：
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=80A，漏源导通电阻RDS(ON)<8.0mΩ（VGS=10V）
采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高
超低导通电阻的高密度单元设计
可充分界定雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热封装
100% UIS测试
100% DVDS测试
应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
封装标识和订购信息：
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产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
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VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLM1216Y
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沟槽场效应晶体管
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-12
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-8
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-
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-
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11.5
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18
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14
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22
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-0
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-1
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-1
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SOT23
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
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