【产品】单通道高速低侧栅极驱动器IVCR1801/1802，4A峰值拉电流、8A峰值灌电流
瞻芯电子推出的IVCR1801、IVCR1802是4A峰值拉电流和8A峰值灌电流驱动单通道高速低侧栅极驱动器，能够高效安全地驱动MOSFET，IGBT和新兴的WBG电源（功率）开关器件。 低传播时延和紧凑的SOT23或WSON封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百 kHz。该器件非常适用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步 MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。
VDD工作电压范围为4.5V~20V，能够有效地驱动MOSFET或GaN功率器件。 集成的UVLO保护功能可确保在异常情况下使输出始终保持为低电平。-5V~20V的独立输入引脚电压范围能够有效地确保在由于寄生电感引起过冲的情况下能够稳定的工作。输入引脚的电压阈值也兼容TTL电平输入。
图1 典型应用
特点
•可选的6-pin SOT-23 和 6-Pin SON封装 (3mm x 3mm)
•4A峰值拉电流和8A峰值灌电流
•高达24V宽范围VDD供电
•具有UVLO保护的4.5V~20V的VDD工作电压范围
•双输入设计，可选择反相或正相驱动器配置，未使用的输入引脚可用作使能输入
•可容负压尖峰（低至-5V）输入
•兼容TTL和CMOS输入电平
•低通信时延
•当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
•分离输出，可独立调节打开和关闭速度
•工作温度范围：-40℃~125℃
应用
•电动工具
•电机控制
•AC/DC和DC/DC变换器
•服务器和通讯设备的整流器
•EV/HEV逆变器和DC/DC转换器
•PV升压和逆变器
• UPS
•用于新兴的宽带隙功率器件驱动
器件信息：
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描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
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【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27511，可P2P替换
IVCR1801S是瞻芯电子推出MOSFET/IGBT驱动芯片，让瞻芯的驱动芯片进口替代系列更加完善。除了相当有竞争力的价格外，拥有与进口品牌相媲美的性能。本文就IVCR1801S与TI UCC27511做对比，让大家在选型过程中有更大的选择范围。
IVCR240x/IVCR2403/IVCR2405/IVCR1407S/IVCR1801S Competitor Parts
型号- IR4426,2ED8523,IR4428,FAN3111CSX,IR4427,LM5114BMF,UCC27533DBV,1EDN7550B,UCC27424,UCC27523,UCC27325,UCC27524,UCC27425,UCC27525,MAX5048AAUT,UCC27323,1EDN7512B,UCC27324,UCC27423,CMIC4425,ISL89164,TC4427A,IVCR240X,NCP81071,IVCR2403,PM883,2ED8524,IVCR2405,IVCR2404,UCC27424A,ISL891645,IVCR2401,UCC27517ADBV,FAN3100T,ISL89163AC,IVCR1801S,1EDN7511B,IVCR1407S,LM5111-3,ADP3654,MIC4423,MIC4424,UCC27511ADBV,TC4428A,LM5111,TC4426A,2ED7523,2ED7524
【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计，低传播延迟≤20ns
本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR，它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件，单通道大电流，高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流，可以用于激光测距雷达的设计。
【应用】国产高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR助力家用手持射频美容仪设计，传播延迟低，实现5M射频输出
某个客户要设计一款家用手持射频美容仪，想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率，经推荐，客户选择使用了英洛赛科的INN650D150A，配合瞻芯电子的IVCR1801SR驱动芯片，能够实现5M以上的射频输出，大大提高射频美容仪的美容效果。
【元件】瞻芯电子新品车规级1700V SiC MOSFET，导通电阻标称1Ω，助力高效辅助电源
瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅（SiC）MOSFET产品（IV2Q171R0D7Z）通过了车规级可靠性认证（AEC-Q101），导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
【应用】单通道高速低侧栅极驱动芯片EG44273用于低压伺服驱动器，输出波形无畸变，占板空间小
随着AGV小车的行业应用越来越广泛，我司需要开发通过电池供电的低压伺服驱动器来控制AGV小车电机运转，进而实现小车的移动。近日笔者在开发低压伺服驱动器（直流48V输入）项目中，用屹晶微电子EG44273做驱动器泄放信号的驱动芯片。
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支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm，最大宽度600mm，铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm，最小鳍片间距1cm；定制散热器产品工艺有热管焊接，穿片，打磨，铲齿，铝挤及CNC加工修边飞面等。
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可定制均温板VC最薄0.4mm，有效导热系数超5,000 W / m·K（纯铜(401 W/m·K ，石墨烯1,200 W/m·K）。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用，定制最低要求，项目年采购额大于10万人民币，或采购台套数大于2000套。
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