【产品】N沟道增强型MOSFET AM3460，极限漏源电压达60V

时间： 2019-07-24 来源：AiT

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AIT推出的AM3460是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟道单元设计，开关速度快，导通电阻小。AM3460可以承受的最大漏源电压为60V，最大栅源电压为±20V，可以用于便携式设备、笔记本电脑/个人计算机、电源管理以及DC / DC变换器中。AM3460采用SOT-23S封装，其引脚分布如图1所示，

图1 AM3460引脚分布

AM3460产品特性

·BV≥60V ID=3A

VGS=10V时，RDS(ON) ≤90mΩ

VGS=5V时，RDS(ON) ≤110mΩ

·先进的沟道单元设计

·开关速度快

·采用SOT-23S封装

AM3460应用领域

·便携式设备

·笔记本电脑/个人计算机

·电源管理

·DC / DC变换器

AM3460订购信息

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