【产品】Diotec贴片式双向平面齐纳二极管MM3BZ18,齐纳电压典型值为18V,具有急剧的齐纳击穿电压

2021-01-20 Diotec
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DIOTEC(德欧泰克)推出的一款商业级贴片式双向平面齐纳二极管MM3BZ18,该二极管耗散功率为200mW,齐纳电压典型值为18V,具有齐纳电压急剧击穿、低漏电流的优点,主要应用在稳压器和调压器中。

图1 产品封装与编码


产品特点:

双向版本

齐纳电压击穿急剧

低漏电流

符合RoHS、REACH标准


机械数据:

编带和卷盘包装:3000/7”

重量约0.01g

焊接和装配条件:260℃/10s  ,MSL(湿度敏感等级)=1


应用领域:

稳压器和调压器(对于ESD保护应用参照ESD3Z系列)

商业等级


最大额定值 (TA=25℃,除非其它说明)

电气参数表


电气参数表2(Tj=25℃,除非其它说明)

1.    采用tp = 5 ms的脉冲测试

2.    安装在每个引脚有1cm2铜焊盘的PCB上测量

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Type
Package
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
Junction Temperature Tjmax [℃]
Peak Forward Surge Current IFSM[A]
Forward Voltage VF[V]
Forward Voltage IF[A]
Leakage Current IR[A]
Leakage Current VR[V]
ABS10
Single Phase Bridge Rectifiers
SMD
SO-DIL ABS 4mm
1000
0.8
150
27
1.1
0.8
5
1000

选型表  -  DIOTEC 立即选型

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选型指南  -  DIOTEC  - Version 26  - 2021 PDF 英文 下载

DIOTEC MOSFETs选型表

DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991

产品型号
品类
Turn-OnTime ton[ns]
Peak Drain Current IDM [A]
Drain Current ID[A]
Polarity pol
Drain Source Voltage VDS[V]
Power Dissipation Ptot [W]
Turn-Off Time toff[ns]
Type
Threshold Voltage VGSth[V]
On-Resistance VGS[V]
On-Resistance RDSon[Ω]
Package
Junction Temperature Tjmax[℃]
On-Resistance ID[A]
2N7000
MOSFETs
10
0.5
0.2
N
60
0.35
10
Wire-lead
0.8
10
5
TO-92
150
1

选型表  -  DIOTEC 立即选型

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