【产品】-60V/-1.9A P沟道增强型功率MOSFET RM2P60S2
丽正国际推出了一款P沟道增强型功率MOSFET RM2P60S2。该产品采用了先进的沟道技术,具有极小的导通电阻RDS(ON),适用于负载开关或PWM类应用。
P沟道增强型功率MOSFET的主要特征:
漏极-源极电压VDS=-60V,漏极连续电流ID=-1.9A,
高功率和大电流处理能力
引脚无铅
表贴型封装
P沟道增强型功率MOSFET的应用领域:
PWM应用
负载开关
电源管理
其极限参数如下:漏极-源极电压-60V,栅极-源极电压±20V,漏极连续电流为-1.9A(TA=25℃)和-1.5A(TA=70℃),漏极脉冲电流为-7.6A,最大功率耗散为1.4W(TA=25℃)、0.9W(TA=70℃),热阻RθJA为90℃/W,工作和存储温度为-55℃ ~ +150℃,满足工业级环境要求。
此外,该产品的漏极-源极导通电阻RDS(ON)为最大值分别为 215mΩ(VGS=-10V,ID=-1.9A)和260mΩ(VGS=-4.5V,ID=-1.4A);其输入电容典型值358pF,输出电容典型值为23pF,反向传输电容典型值17pF;同时,其导通延时典型值为20ns,导通上升时间为33.1ns,关闭延时为5.2ns,下降时间为3.8ns,具有较好的开关性能。下图1为产品元件符号与和尺寸图。
图1 产品外形和电路符号
图2 封装尺寸
产品订购信息如下:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由会飞的狼翻译自丽正国际,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3
丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3,VDS = -30V,ID = -20A,采用先进的Trench Technology技术,达到超低的RDS(ON)和低总栅极电荷,适合负荷开关或PWM控制应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-01
【产品】-20V/-2.6A P沟道增强型功率MOSFET RM2301E,采用SOT-23封装
丽正国际推出的RM2301E是一款P沟道增强型功率MOSFET,该器件采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)性能以及极低的栅极电荷,同时可以在低至2.5V的栅极电压下运行,非常适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时,RM2301E可以承受的漏源电压最大额定值为-20V,栅源电压最大额定值为±10V,可以承受漏极连续电流最大额定值为-2.6A。
新产品 发布时间 : 2019-11-02
【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6,采用SOT-23-6封装
RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-20
【产品】-60V/-61A P沟道增强型功率MOSFET RM60P60HD
RM60P60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于PWM、负荷开关及其他通用应用。在TA=25°C时,RM60P60HD可以承受的漏源电压最大额定值为-60V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为-61A。
新产品 发布时间 : 2019-11-19
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407,适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列,器件采用先进的沟槽工艺技术,提供出色的漏源导通电阻RDS(ON),低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性,器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【应用】P沟道增强型功率MOSFET HM9435B可用于负载开关,栅极阈值电压典型值低至-0.7V
虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B漏源导通电阻小,栅极阈值电压低,采用SOP-8贴片封装,可以增强负载开关的通流能力,提高负载开关的工作效率,降低了负载开关成本,非常适合作为负载开关器件。
应用方案 发布时间 : 2023-05-14
【产品】-40V/-12A的P沟道增强型功率MOSFET RM12P40S8,SOP-8封装
RM12P40S8是丽正国际推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用SOP-8封装,导通电阻低,产品损耗较小,无铅,不含卤素,适用于PWM应用,负载开关,电源管理。
新产品 发布时间 : 2020-12-31
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-23
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论