【产品】N沟道增强型MOSFET CMUDM7004，与CMUDM8004 P沟道增强型MOSFET互补
Central半导体公司推出的产品CMUDM7004为N沟道增强型MOSFET。它的额定电压为30V，额定电流为450mA。它具有仅0.39Ω的低导通电阻和最小为0.5V的低VGS（th）阈值电压。低导通阻抗使它具有低的导通损耗，从而取得高效率。低阈值电压使它易于驱动，便于驱动设计。它的栅极总电荷仅0.15nC，（损耗）功率为250mW。开关损耗低，效率高。它的封装采用贴片SOT-523，尺寸为1.7mm×1.7mm×0.78mm。体积小，可以提高产品功率密度。它还具有2kV的静电防护电压，具备完整的瞬态保护。它还兼容逻辑电平，使它应用广泛。它的结温范围为-65～150℃，具有良好的高低温特性，适应环境能力强。
CMUDM7004的额定电压、额定电流、栅极门槛电压范围与同系列的P沟道增强型MOSFET器件CMUDM8004紧密匹配。使它们成为了一对互补应用场合的理想MOSFET。适合用于需要N沟道和P沟道MOSFET相互匹配的电路中。
图一 CMUDM7004实物图
此外，CMUDM7004还主要应用在高速脉冲放大器、开关电源、供电变换器电路、电源管理、电机控制等产品中。
CMUDM7004的特性：
· ESD防护电压2kV.
· 低RDS（on）（ 0.39Ω）
· 低VGS（th）阈值电压（最小为0.5V）
· 兼容逻辑电平
· 低栅极总电荷（仅0.15nC）
· 紧密匹配的正反向特性
· 高效率
· 完整的瞬态保护
CMUDM7004的应用：
· 高速脉冲放大器
· 开关电源
· 供电变换器电路
· 电源管理
· 电机控制
技术顾问：坚栋
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