【产品】-30V/-7.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL,采用SOT-23-3L封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL,采用SOT-23-3L封装,漏源电压为-30V,漏极电流为-7.0A(TA=25℃时)。
实物图
产品概要
● VDS -30V
● ID -7.0A
● RDS(ON)( at VGS=-10V) <25 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <36 mohm
一般说明
●沟槽低压功率MOSFET技术
●高密度单元设计,低RDS(ON)
●高速开关
应用领域
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
■绝对最大额定值(除非另有说明,否则TA = 25℃)
订购信息
封装信息
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电子商城
品牌:扬杰科技
品类:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格:¥0.1200
现货: 3,065
现货市场
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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