【经验】瑞萨RZ/T1系列微处理器启动过程分析---硬件篇

时间： 2018-06-05 来源：世强

瑞萨RZ/T1系列微处理器内部只集成有紧密耦合存储器（TCM）,用户的程序是要存储在外部FLASH中，RZ/T1通过引导函数引导用户的程序，将用户程序从外部FLASH中复制到TCM中运行。那么RZ/T1支持什么样的外部FLASH？硬件要如何连接才能正常工作？

瑞萨RZ/T1系列微处理器支持SPI FLASH及16位/32位并行NOR FLASH三种模式，上电复位后通过芯片的模式设置引脚MD2,MD1,MD0几个引脚的电平选择工作模式。模式设置引脚与工作模式之间的逻辑关系如下：

模式设置引脚
MD2	MD1	MD0
0	0	0	SPI引导模式（串行FLASH）从连接到SPI multi-I/O总线空间的串行FLASH引导程序
0	1	0	16位总线引导模式（NOR FLASH）从连接到CS0空间16位总线的NOR FLASH引导程序
0	1	1	32位总线引导模式（NOR FLASH）从连接到CS0空间32位总线的NOR FLASH引导程序
其它值			保留（禁止使用）

三种运行模式占用的内部资源与引脚资源如下表：

运行模式	外设模块	使用的引脚
SPI引导模式（串行FLASH）	SPI Multi-I/O总线控制器（SPIBSC）	SPBCLK,SPBSSL,SPBMO,SPBMI
16位总线引导模式（NOR FLASH）	总线状态控制器（BSC）	A20~A1,D15~D0,CS0#,RD#
32位总线引导模式（NOR FLASH）	总线状态控制器（BSC）	A20~A2,D31~D0,CS0#,RD#

从上表我们可以看出，使用SPI接口的运行模式最节省资源，而且SPI 接口的串行FLASH封装尺寸也比较小，设计时可以节省PCB的面积，因此，通常建议使用SPI接口的串行FLASH做设计。下面是串行FLASH的连接图：

在瑞萨RZ/T1系列微处理器开发板上我们测试过以下的串行FLASH：

MX25L51245GMI-10G (64M bytes)

MX25L25635FMI-10G (32M bytes)

MX25L3235EM2I-10G (4M bytes)

最后，我们也看一下并行总线FLASH的连接图：

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