【经验】瑞萨RZ/T1系列微处理器启动过程分析---硬件篇

2018-06-05 世强
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瑞萨RZ/T1系列微处理器内部只集成有紧密耦合存储器(TCM),用户的程序是要存储在外部FLASH中,RZ/T1通过引导函数引导用户的程序,将用户程序从外部FLASH中复制到TCM中运行。那么RZ/T1支持什么样的外部FLASH?硬件要如何连接才能正常工作?

 

瑞萨RZ/T1系列微处理器支持SPI FLASH及16位/32位并行NOR FLASH三种模式,上电复位后通过芯片的模式设置引脚MD2,MD1,MD0几个引脚的电平选择工作模式。模式设置引脚与工作模式之间的逻辑关系如下:

模式设置引脚


MD2

MD1

MD0


0    

0

0

SPI引导模式(串行FLASH)从连接到SPI multi-I/O总线空间的串行FLASH引导程序

0

1

0

16位总线引导模式(NOR FLASH)从连接到CS0空间16位总线的NOR FLASH引导程序

0

1

1

32位总线引导模式(NOR FLASH)从连接到CS0空间32位总线的NOR FLASH引导程序

其它值

保留(禁止使用)

 

三种运行模式占用的内部资源与引脚资源如下表:

运行模式

外设模块

使用的引脚

SPI引导模式(串行FLASH)

SPI Multi-I/O总线控制器(SPIBSC)

SPBCLK,SPBSSL,SPBMO,SPBMI

16位总线引导模式(NOR FLASH)

总线状态控制器(BSC)

A20~A1,D15~D0,CS0#,RD#

32位总线引导模式(NOR FLASH)

总线状态控制器(BSC)

A20~A2,D31~D0,CS0#,RD#

 

从上表我们可以看出,使用SPI接口的运行模式最节省资源,而且SPI 接口的串行FLASH封装尺寸也比较小,设计时可以节省PCB的面积,因此,通常建议使用SPI接口的串行FLASH做设计。下面是串行FLASH的连接图:


瑞萨RZ/T1系列微处理器开发板上我们测试过以下的串行FLASH:

MX25L51245GMI-10G   (64M bytes)

MX25L25635FMI-10G   (32M bytes)

MX25L3235EM2I-10G   (4M bytes)


最后,我们也看一下并行总线FLASH的连接图:

 

 


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