【产品】用于增强型单片式半桥氮化镓晶体管的30V耐压开发板EPC9036

2019-05-31 EPC
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EPC公司的EPC9036开发板采用EPC2100增强型单片式半桥氮化镓晶体管,板载栅极驱动器,采用单片半桥拓补结构,支持30V的最大开关节点输出电压,28 A的最大开关节点输出电流。该开发板板载的关键组件使其可以方便的连接至任何转换器,从而简化EPC2100的测试及评估过程。

图1 EPC9036开发板


该开发板通过德州仪器的LM5113驱动器以及电源、旁路电容等组成半桥拓补结构。该开发板板载所有关键组件,并优化了布局来提高开关性能。此外,开发板有大量额外面积,用来增加降压输出的滤波器。还有各种测试点,方便进行简单的波形测量和效率计算。

图2 开发板框图


设置与操作

有关正确的设置及操作,请参照以下步骤:

1、关闭电源,将电源输入端连接至+VIN(J5、J6)和地/-VIN;

2、断电后,按要求将半桥的开关节点(J3、J4)连接至电路;

3、将栅极驱动器的输入端连接至+VDD(J1,Pin-1),地线连接至-VDD(J1,Pin-2);

4、将PWM信号连接至PWM(J2,PIN-1),地线连接至剩余的J2引脚;

5、打开栅极驱动器电源,保证电源在7~12V之间;

6、将总线电压打开至所需的值,注意保证不超过最大电压限制;

7、打开控制器/PWM输入源和探头开关节点,查看开关操作;

8、运行时,在运行范围内调整总线电压和PWM,观察输出的开关行为及效率等参数;

9、如遇停机,请按相反步骤操作。

注意:在测量高频开关节点时,必须注意避免地线较长。通过将示波器的探头尖端穿过开关节点的大通孔,并将探头直接接地在GND的端子上,来测量开关节点。正确的测量技术见图3.

图3 正确的连接及测量设置


物料清单

原理图


该开发板的目的是通过在单板上包含所有关键组件来 eGaN IC的评估过程,该板可以轻松连接到任何现有的转换器

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产品型号
品类
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VDSmax(V)
VGSmax(V)
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QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

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