【产品】用于增强型单片式半桥氮化镓晶体管的30V耐压开发板EPC9036
EPC公司的EPC9036开发板采用EPC2100增强型单片式半桥氮化镓晶体管,板载栅极驱动器,采用单片半桥拓补结构,支持30V的最大开关节点输出电压,28 A的最大开关节点输出电流。该开发板板载的关键组件使其可以方便的连接至任何转换器,从而简化EPC2100的测试及评估过程。
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图1 EPC9036开发板
该开发板通过德州仪器的LM5113驱动器以及电源、旁路电容等组成半桥拓补结构。该开发板板载所有关键组件,并优化了布局来提高开关性能。此外,开发板有大量额外面积,用来增加降压输出的滤波器。还有各种测试点,方便进行简单的波形测量和效率计算。
图2 开发板框图
设置与操作
有关正确的设置及操作,请参照以下步骤:
1、关闭电源,将电源输入端连接至+VIN(J5、J6)和地/-VIN;
2、断电后,按要求将半桥的开关节点(J3、J4)连接至电路;
3、将栅极驱动器的输入端连接至+VDD(J1,Pin-1),地线连接至-VDD(J1,Pin-2);
4、将PWM信号连接至PWM(J2,PIN-1),地线连接至剩余的J2引脚;
5、打开栅极驱动器电源,保证电源在7~12V之间;
6、将总线电压打开至所需的值,注意保证不超过最大电压限制;
7、打开控制器/PWM输入源和探头开关节点,查看开关操作;
8、运行时,在运行范围内调整总线电压和PWM,观察输出的开关行为及效率等参数;
9、如遇停机,请按相反步骤操作。
注意:在测量高频开关节点时,必须注意避免地线较长。通过将示波器的探头尖端穿过开关节点的大通孔,并将探头直接接地在GND的端子上,来测量开关节点。正确的测量技术见图3.
图3 正确的连接及测量设置
物料清单
原理图
该开发板的目的是通过在单板上包含所有关键组件来 eGaN IC的评估过程,该板可以轻松连接到任何现有的转换器
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产品型号
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品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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产品型号
|
品类
|
最大耐压(V)
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装(mm)
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
|
BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC半桥Demo选型表
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产品型号
|
品类
|
Description
|
VDS max(V)
|
ID(max RMS)(A)
|
Featured Product
|
EPC9086
|
开发板
|
Half Bridge Plus Driver
|
30
|
15
|
EPC2111
|
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品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.0520
现货: 322
现货市场
服务
可加工线路板层数:1~10层;最小孔径:0.2mm;孔径公差范围:±0.076mm(±3mil),板尺寸:5mm×5mm~600mm×600mm;板厚:0.2mm±0.08mm~2.0±0.1mm。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
最小起订量: 1 提交需求>
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