【选型】长晶科技NMOS CJU60N04用于大功率电源防反接电源电路，导通内阻仅8mΩ

时间： 2021-12-31 来源：世强

技术问答

本产品是一个大功率电源控制板，需要给3个240W的工控主机供电，供电电压是24V。客户要求电源输入具有防反接的功能，由于功率MOS管的导通电阻R_DS很小，已经能够做到毫欧级。根据计算负载电流已经大于30A了，选择用NMOS作为电源防反接的主要器件，用于大功率电源防反接电源电路中。

电源防反接电路主要是利用MOS管的开关特性，通过输入电源自身的极性来控制NMOS的开启和关闭。对于大功率开关电路，在选型的时候需要特别注意NMOS的导通内阻，导通内阻肯定是越小越好但是也需要考虑器件的成本。最终通过各种参数的评估后，最终选择长晶科技的NMOS CJU60N04。

CJU60N04主要电气性能参数：

• V_DS：40V（最大值）

• V_GS：±20V（最大值）

• I_D（持续电流）：60A（最大值）

• R_DS (on)@10V：8mΩ（典型值）

• P_D_：1.25W（典型值）

• 封装：TO-252-2L

• 工作温度（T_J）：150℃（最大值）

从上面的电气参数中可以看出当V_GS=10V的时候，R_DS(on)只有8mΩ，当通过30A的电流的时候在NMOS上产生的压降为0.24V，产生的功耗为7.2W远远大于管子的P_D=1.25W；mos管上的因内阻而产生的温升不能超过其结温，所以必须要加散热片，把产生的热量通过传导的方式来散热；另外在本产品的内部加了风扇，可以进一步加强散热性能。

本项目中的电路原理图：

CJU60N04只有在V_GS大于1.5V(典型值)的时候才会导通，所以当24V和24V-接反了的时候，由于R510接到24V-这样V_GS是小于0V的，所以NMOS不会导通。

需要注意的是通过调整电阻R509与R510的阻值可以调整V_GS的大小；V_GS在控制在10V左右的时候，导通电阻R_DS最小。

经过实测，当负载电流在30A左右的时候，MOS管上产生的压降用万用表测试为0.26V，主要是当器件温度上升的时候导通R_DS会随着温度的上升而上升；所以散热是非常重要的。

补充说明：CJU60N04在同等性能的60N04系列中，性价比比较高，特别是和欧美等一些厂家的器件相比CJU60N04具有货源交期好，价格低廉等优势。

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SERIES,CJ5123J8A,ESDU5V0N4,CJ09,CESD5V0D3,CJ08,CESD5V0D1,LMV324,CJ03,ESDBL12VAE1,CESD5V0D5,CJ02,CJAC35N03,CJ6605SP,CJU04N65,CESDLC3V0L4,CJU1117B-XX,LM321,SBD40120TCTB,LM324,CJ79XX,CJAC70N03,CJBE5005,CJU80SN10,CJP140N04,CJQ12SN06,CJ17,CESD3V3AP,CJ16,CJ15,CJ40562,ESDE24VP1,CJAC40SN03,CJ13,CJ11,CJ10,CJS8810,DSS34,DSS36,CJP08N65,ESDTU5V0AG4B,CJ6300,CJS8804,SS36,SS34,CJP200N04,CJPF02N65,SBD30100TCTB,CJO06 SERIES,CJP180SN10,CESD5V0AP,ESDBL24VA1,ESDQ12VFA1,ESDHB5V0AE1,SBDF30100SCTB,CJFB30H20,ESDU5V0K4,CJU100N03S,SBD40150TCTB,CJT1117B-XX,CESDLC5V0K5,CJK09 SERIES,CJ6211 SERIES,CJ78M12,LMV358,2N7002K,ESDBM3V3A1,SMAJ18CA,CJQ18SN06,RC4558,CJ9313,CJ9311,CJ78M05,BAT54S,ESDBL3V3Y1,ESDU3V3AG4,ESDBW712C2,ESDBM24VD3,CESDLC5V0J4,CJPF08N65,CJD04N65,CJ86LXX,CJBD3020,CJP110SN10,ESDBL8V0Y1,CJ03 SERIES,ESD15VAE1,CJ9321,ESDBVD5V0F2,CJP07N65,ESDBM24VC2,CJD80SN10S,ESDBS3V3AE1,SBD30100SCTB,ESDBL5V0Y1,CJAB35N03S,CJ6206 SERIES,CJL8820,ESDBM12VD3,B1040A1,MURW3060CTB,CJ6617SP,CJM05 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选型指南 - 长晶科技 - 2021/12/27 PDF 中文下载

长晶科技（JSCJ）是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，其前身为长电科技（全球知名的集成电路封装测试企业）分立器件部门。长晶科技（JSCJ）主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等，拥有15000多个产品系列和型号，广泛应用于各消费类、工业类电子领域。

晶体管 MOSFET LDO DC-DC 基准电源电压检测IC 复位IC 锂电保护IC 充电管理IC 三端稳压集成电路霍尔IC 石英晶体谐振器石英晶体振荡器 VCXO TCXO开关二极管 PIN二极管肖特基二极管稳压二极管 ESD TVS 整流二极管快恢复二极管整流桥数字晶体管达林顿管低饱和晶体管高压开关管

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合科泰NMOS管HKTD80N03，连续漏极电流80A，可应用于电机驱动和BMS等产品

NMOS的导通特性是由其栅极电压与源极和漏极之间的电压差决定，它在需要高速开关和低功耗的应用中非常受欢迎。具有负极性，可以用来控制电流的流动。本文给大家介绍的这款‌NMOS管HKTD80N03采用N沟道制作，其能承受的最大漏源电压为30V，连续漏极电流80A，非常适用于很多高电流场景。

产品发布时间 : 2024-08-31

长晶科技LDO选型表

长晶科技提供以下技术参数的LDO选型，VIN min：1.6V~3V，VIN max：6V~65V，IOUT：100mA~1000mA等

产品型号	品类	VIN min(V)	VIN max(V)	VOUT(V)	IOUT(mA)	IQ(μA)	Vdrop(mV)	PSRR@1KHZ(dB)	Accuracy（%）
CJ6101A18M_SOT-23-3L	LDO	1.8V	6V	1.8V	300mA	0.8μA	110mV	50dB	2%