【产品】工作频率5.5~9GHz的高效率中功率放大器,输出功率为1W

2017-11-03 UMS
高效率中功率放大器,射频放大器,pHEMT工艺射频放大器,低回波损耗射频放大器 高效率中功率放大器,射频放大器,pHEMT工艺射频放大器,低回波损耗射频放大器 高效率中功率放大器,射频放大器,pHEMT工艺射频放大器,低回波损耗射频放大器 高效率中功率放大器,射频放大器,pHEMT工艺射频放大器,低回波损耗射频放大器

全球领先的微波元件供应商UMS推出CHA5250-QDG是三阶段单片GaAs中功率放大器,输出功率接近1W,它是专为商业通信系统而设计的。CHA5250-QDG是以芯片形式提供,其采用24L-QFN4x4封装。


图 1:CHA5250-QDG实物图


CHA5250-QDG高效率中功率放大器的工作频率为5.5-9GHz,线性增益典型值为26dB,在同系列的中功率放大器中,其线性增益最高,适合增益倍数需求较大的系统。输入回波损耗为-12dB,输出回波损耗为-10dB,具有良好的回波损耗,低回波损耗增加了系统的稳定性。输出功率典型值(OP1dB)为28dBm,饱和输出功率典型值为30dBm,相对于同系列的产品,CHA5250-QDG的饱和输出功率也是最高的。OIP3为36dBm,芯片线性度很高,避免了产生邻近信道的串扰。PAE为30%(在1dB压缩点的情况下),直流偏压Vd=7V@Id=280mA,由此可见芯片的效率很高,其出色功率放大的性能适用于信号发射模块。


CHA5250-QDG采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.5μm,穿过基板的通孔,气桥,电子束栅极光刻。pHEMT具有双异质结的结构,不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性,与采用GaAs工艺的同类产品相比,具有较高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等优势。


CHA5250-QDG高效率中功率放大器的主要特点:

· 工作频率:5.5-9GHz

· 线性增益典型值:26dB

· 在1dB压缩点状态下输出功率典型值:28dBm

· 输出TOI(输出IP3)典型值:36dBm

· PAE(在1dB压缩点状态下):30%

· 直流偏压:Vd = 7V @ Id = 280mA

· 芯片封装形式:24L-QFN4x4


CHA5250-QDG高效率中功率放大器的应用:

· 汽车电子

· 通信雷达

· 广电市场


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  • 用户18396822 Lv8 2018-01-05
  • yuyu Lv8. 研究员 2017-11-03
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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

选型表  -  UMS 立即选型

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