【产品】工作频率5.5~9GHz的高效率中功率放大器,输出功率为1W
全球领先的微波元件供应商UMS推出CHA5250-QDG是三阶段单片GaAs中功率放大器,输出功率接近1W,它是专为商业通信系统而设计的。CHA5250-QDG是以芯片形式提供,其采用24L-QFN4x4封装。
图 1:CHA5250-QDG实物图
CHA5250-QDG高效率中功率放大器的工作频率为5.5-9GHz,线性增益典型值为26dB,在同系列的中功率放大器中,其线性增益最高,适合增益倍数需求较大的系统。输入回波损耗为-12dB,输出回波损耗为-10dB,具有良好的回波损耗,低回波损耗增加了系统的稳定性。输出功率典型值(OP1dB)为28dBm,饱和输出功率典型值为30dBm,相对于同系列的产品,CHA5250-QDG的饱和输出功率也是最高的。OIP3为36dBm,芯片线性度很高,避免了产生邻近信道的串扰。PAE为30%(在1dB压缩点的情况下),直流偏压Vd=7V@Id=280mA,由此可见芯片的效率很高,其出色功率放大的性能适用于信号发射模块。
CHA5250-QDG采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.5μm,穿过基板的通孔,气桥,电子束栅极光刻。pHEMT具有双异质结的结构,不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性,与采用GaAs工艺的同类产品相比,具有较高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等优势。
CHA5250-QDG高效率中功率放大器的主要特点:
· 工作频率:5.5-9GHz
· 线性增益典型值:26dB
· 在1dB压缩点状态下输出功率典型值:28dBm
· 输出TOI(输出IP3)典型值:36dBm
· PAE(在1dB压缩点状态下):30%
· 直流偏压:Vd = 7V @ Id = 280mA
· 芯片封装形式:24L-QFN4x4
CHA5250-QDG高效率中功率放大器的应用:
· 汽车电子
· 通信雷达
· 广电市场
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
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Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
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电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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