【产品】60V/65A N沟道MOSFET N0607N，通态电阻小于8.4mΩ

时间： 2020-05-11 来源：Renesas

N0607N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压可至60V，漏极电流高达±65A，具有低通态电阻（R_DS(ON)最高不超过8.4mΩ@V_GS=10V，I_D=32.5A）、低输入电容C_iss典型值只有3300pF@V_DS=25V，且符合RoHS标准。采用TO-252封装，封装及等效电路如下图所示：

图1 封装及等效电路图

电气参数表：

图2 电气参数表

尺寸图如下所示：

图3 机械尺寸图

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