【技术】eGaN FET热机械可靠性分析及应力测试

时间： 2018-05-20 来源：EPC

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EPC公司增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET)EPC80xx系列（EPC8002、EPC8004、EPC8009、EPC8010）采用栅格阵列封装，具有高开关速度、低导通电阻和低成本的优势，在超高速DC/DC变换、射频包络跟踪、无线电能传输、游戏机以及工业遥感领域具有广泛应用。为了确保较高的现场可靠性，实际使用时需要了解eGaN FET焊接安装的热机械性能。本文重点介绍该系列的热机械可靠性分析和应力测试，最终推导出基于热循环周期失效次数的预测寿命模型。

热机械可靠性

由于EPC设备无需塑料封装、引线键合以及传统功率封装的模具附着材料，消除了封装接口，但是可能发生热应力失效，因此需要重点关注裸片和PCB之间焊点的可靠性。

焊点应力主要来源于裸片、焊点和PCB的温度波动，三种附着材料的热膨胀系数（CTE）不匹配，成为焊点应力的主要影响因素。在高于或低于环境温度的温度漂移期间，裸片（CTE~3ppm/℃）和典型FR4/FR5 PCB基板（CTE~10-16ppm/℃）以不同的速率进行膨胀和收缩，那么焊点就会发生剪应变。在经历多个温度循环后，剪应变对焊点的反复作用会导致疲劳和最终开裂（如图1所示）。除了造成信号强度降低或完全丢失以外，开裂焊点还会导致更高的裸片温度，进而影响设备的可靠性。

图1 间歇寿命测试导致的焊点开裂

热机械应力测试和建模

目前主要有两种的应力测试来评估热机械可靠性，分别为温度循环（TC）和间歇寿命（IOL）：TC测试需要无偏差的运行条件，通过两个环境温度等级之间的循环测试（EPC设备典型温度-40℃~125℃）；IOL应力测试采用递增的循环功率，首先使元件结温升高到预期水平，随后再降低功率使结温返回到初始条件（典型循环温度ΔT_J=100℃）。

由于裸片和PCB可能存在的较大CTE差异以及峰值温差，那么热应力循环内将出现更多焊点应变，影响应变幅值的主要因素为焊点与裸片中性点的距离、焊点底座高度。下面的方程可以用来预测某个焊点的热机械剪应变，并且给出了主要影响因素之间的关系：

其中ε为焊点的剪切应力，Δα为裸片与PCB的CTE差值，ΔT为循环温度变量，DNP为焊点和裸片中性点之间的距离，t为焊点底座高度。

为了制定基于热循环周期失效次数的预测寿命模型，通过不同的温度曲线测试设备焊点失效情况，并且计算热循环周期内的焊点应变能。初步的寿命模型采用四种不同温度曲线进行IOL应力测试（ΔT_J=100℃，ΔT_J=125℃，ΔT_J=138℃，ΔT_J=150℃），测试设备选用EPC80xx系列，计算出每个温度曲线对应的循环应力-应变能密度。图2所示为该循环模型的应力-应变能密度实例（ΔT_J=150℃），X轴和Y轴分别表示温度循环范围内焊点的剪切应变和应力分布情况，环路区域面积表示每个温度循环内的总塑性（蠕变）应变能密度。

图2 EPC80xx系列的应力-应变能密度曲线图

图3给出了计算应变能密度与T₅₀失效循环数量（测试群体50%失效）之间的关系，幂律特性曲线能很好的拟合数据，通过下面的方程预测失效循环次数（N_f），其中E_S为应变能：

图3 IOL测试数据拟合曲线图

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plhust Lv7. 资深专家 2020-08-10

不错
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2019-01-24

不错
dxcforever Lv3. 高级工程师 2019-01-19

666
哒哒 Lv6. 高级专家 2019-01-18

学习了谢谢
用户37866299 Lv6. 高级专家 2019-01-17

值得学习

电气农民工 Lv7. 资深专家 2019-01-17

不错，学习了
naix Lv4. 资深工程师 2019-01-16

学习
MagicMoon Lv8 2019-01-12

厉害，学习学习
ZF Lv4. 资深工程师 2019-01-11

很好
kaka520amy Lv8. 研究员 2019-01-11

学习了

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、安全性以及耐辐射性方面也具有显著优势。文章还列举了eGaN® FET在多个领域的应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/10/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更高效的功率转换。与传统的硅MOSFET相比，eGaN FET具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章还讨论了eGaN FET在汽车、射频放大器、LiDAR、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。此外，还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源。

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2022/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有低成本、简单易用、可靠性和耐辐射等特点，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/8/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

EPC - 多模无线电源演示套件,开发板,放大器电路板,氮化镓集成电路,无线接收器件,升压转换器,增强型氮化镓功率晶体管,演示板,驱动器演示板,ETOF™ 激光驱动集成电路,无线电源演示套件,集成电路,ETOF™ 激光驱动器,氮化镓场效应晶体管,电机驱动器演示板,宽带隙器件,EGAN INTEGRATED CIRCUIT,功率模块,EGAN FET,氮化镓晶体管,评估模块,砖型LLC转换器评估模块,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9046,EPC9167,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9170,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

EPC - 氮化镓功率晶体管,集成电路,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC2219,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC8010,UP1966E,EPC2203,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9166,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC8004,EPC2022,EPC9170,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9144,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9157,EPC7014,EPC21601,EPC9151,EPC9153,EPC9154,EPC9150,激光雷达,汽车,马达驱动器,无线充电,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,D类音频放大器,射频放大器,LED照明

2022/2/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相较于传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化和更高的效率。其优势包括更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，该技术在成本效益、可靠性和耐辐射性方面也表现出色。文章还提供了多种基于eGaN FET的应用实例，如汽车、射频放大器、负载点转换器和无线充电等。

EPC - 氮化镓功率晶体管,集成电路,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9170,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9145,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9030,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90124,EPC9150,激光雷达,汽车,马达驱动器,包络跟踪,无线充电,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,D类音频放大器,射频放大器,LED照明

2022/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源，以及其在不同应用中的演示板信息。

EPC - 宽带隙器件,开发板,EPOWER™ STAGE,EPOWER™工作台,EGAN FET及集成电路,演示板,氮化镓场效应晶体管,ETOF™ 激光驱动器,增强型氮化镓晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2207,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,开关应用,DC/DC转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,功率模块,无线充电,脉冲激光二极管,D类音频放大器,评估模块,射频放大器

2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，由于具有卓越的传导性能，因此在相同的导通电阻(RDS(on)) 条件下，可实现更小尺寸及更低电容。在开关应用中，增强型(常闭型)的工作模式让功率设计师可发挥氮化镓器件的优势。电容及电感影响开关速度。小型并使用横向结构的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)具备超低电容，同时它的LGA封装具低电感，使得我们在速度、电压过冲及振铃方面可实现前所未有的开关性能。没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2021年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN FET器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的应用实例和选型指南。

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了氮化镓器件的低阻抗、低导通损耗、快速开关特性以及低成本优势。此外，还提供了多种基于eGaN FET技术的产品和应用案例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、马达驱动器、医疗应用和无线充电等领域。

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2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2021/05/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用、D类音频放大器、模拟开关和无线充电等领域的应用。

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2020/11/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓元件通过降低阻抗、导通损耗和开关损耗，实现更高效的功率转换。此外，eGaN FET在汽车、无线充电、LED照明等领域具有广泛的应用。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计支持信息。

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2019年8月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、DC/DC转换器、负载点转换器、激光雷达、D类音频放大器、无线充电、射频功率放大器、马达驱动器、医疗应用和LED照明等。文章还提供了eGaN® FET器件的选型和设计支持信息。

EPC - EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC9003C,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC9089,EPC2053,EPC9086,EPC9088,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9138,EPC9013,EPC2100,EPC9014,EPC9130,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2112,EPC2010C,EPC2115,EPC9029,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2019年5月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍

EPC推出新型200V eGaN FETs（氮化镓增强型功率晶体管），相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半，栅电极和源电极之间的距离有所减小，金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。

2020-11-04 - 新产品代理服务技术支持采购服务

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【产品】全新170V/6.8mΩ的eGaN FET EPC2059，尺寸仅2.8×1.4mm

EPC推出的EPC2059是一款增强型氮化镓功率晶体管（eGaN FET），漏源电压170V，典型导通电阻6.8mΩ，连续漏极电流24A，脉冲漏极电流102A，仅以带有焊条的钝化芯片形式提供，芯片尺寸2.8mm×1.4mm，无卤素。

2020-12-08 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC eGaN FET助力工作频率高达15 MHz的功率系统半桥式开发板

EPC公司的全新开发板EPC9066、EPC9067及EPC9068可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器，展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

2018-05-17 - 新产品代理服务技术支持采购服务

How to Design a 12V to 48V Boost Converter Using EGaN FETs and the Renesas ISL81807 Controller？

In this post, the design of a 12V to 48V, 500 W DC-DC power module using eGaN FETs directly driven by eGaN FET compatible ISL81807 controller IC from Renesas in the simple and low-cost synchronous boost topology is evaluated.

2022-01-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【产品】面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管EPC2206，漏源连续电压最大值80V

EPC推出EPC2206是面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管，通过AEC-Q101认证，具有超高效率，非常低的漏源通态电阻，极低的控制极电荷，零反向恢复损耗以及占板面积小等优点。

2018-11-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC新推3mΩ/40V的eGaN FET，适合USB-C电池充电器、超薄型负载点转换器

2020年12月，增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商宜普电源转换公司（EPC），推出了3mΩ/40V的EPC2055增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），以提高现有低压氮化镓晶体管的产品性能。

2021-01-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【经验】为什么eGaN FET的EMI比MOSFET更低？

本文中EPC展示了为什么GaN FETs尽管开关速度快，但其EMI却比MOSFETs低：eGaN FETs和ICs与EMI兼容。通过采用简单的布局技术，可以确保显著减少EMI的产生，从而可以以零成本降低EMI。由于eGaN FETs和eGaN ICs采用晶圆级芯片规模封装（WLCS），其内部电感几乎为零，并且反向恢复电荷为零，因此在硬开关转换器中产生的EMI固有能量更少。

2020-05-30 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

2020-08-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

面向包络跟踪应用的 eGaN® FET 及集成电路

本文介绍了eGaN®技术及其在包络跟踪应用中的优势。eGaN® FET和集成电路用于包络跟踪电源设计，能够提高射频功率放大器的能效，降低功耗和成本。文章强调了eGaN®技术的快速开关性能、高效率和低占板面积等特点，并提供了相关器件型号和配置信息。

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2023/4/25 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本