【产品】采用96-ball FBGA封装的AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器
AS4C64M16D3LA-12BAN是ALLIANCE公司推出的一款DDR3L同步动态随机存取存储器（即SDRAM），采用双倍数据速率架构，适合于高速应用场合。该芯片的内存结构为8Mbit×16I/Os×8bank，容量达1Gb。对于一般应用，该产品可实现高达1600 Mb / sec / pin的高速双倍数据传输速率。
该芯片的设计符合所有关键的DDR3L DRAM主要特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。 输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK＃下降）。 所有I / O都以源同步方式与差分DQS对同步。 这些器件采用1.35V -0.067V / + 0.1V单电源供电，采用BGA封装。
AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器特征：
JEDEC标准兼容
电源：VDD和VDDQ = + 1.35V
向后兼容电压：VDD和VDDQ = 1.5V±0.075V
汽车级工作温度：-40~105°C（TC）
符合AEC-Q100标准
支持JEDEC时钟抖动规范
完全同步操作
快速时钟频率：800MHz
差分时钟，CK和CK＃
双向差分数据选通
- DQS＆DQS＃
8个内部bank并行运行
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动断电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0，CL-1，CL-2
可编程突发长度：4,8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
8192个刷新周期/ 64ms
- 平均刷新周期
7.8μs@ -40℃≤TC≤+ 85℃
3.9μs@ + 85°C <TC≤+ 105°C
写入均衡
ZQ校准
动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自我刷新
96-ball 8 x 13 x 1.0mm FBGA封装
无铅和无卤素
表1 速率等级
表2 订购信息 （AS4C64M16D3LA-12BAN）
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