【产品】采用96-ball FBGA封装的AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器

2018-12-25 Alliance
DDR3L同步动态随机存取存储器,SDRAM,FBGA封装SDRAM,AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器,SDRAM,FBGA封装SDRAM,AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器,SDRAM,FBGA封装SDRAM,AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器,SDRAM,FBGA封装SDRAM,AS4C64M16D3LA-12BAN

AS4C64M16D3LA-12BANALLIANCE公司推出的一款DDR3L同步动态随机存取存储器(即SDRAM),采用双倍数据速率架构,适合于高速应用场合。该芯片的内存结构为8Mbit×16I/Os×8bank,容量达1Gb。对于一般应用,该产品可实现高达1600 Mb / sec / pin的高速双倍数据传输速率。


该芯片的设计符合所有关键的DDR3L DRAM主要特性,所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。 输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK#下降)。 所有I / O都以源同步方式与差分DQS对同步。 这些器件采用1.35V -0.067V / + 0.1V单电源供电,采用BGA封装。


AS4C64M16D3LA-12BAN DDR3L同步动态随机存取存储器特征:

    JEDEC标准兼容

    电源:VDD和VDDQ = + 1.35V

    向后兼容电压:VDD和VDDQ = 1.5V±0.075V

    汽车级工作温度:-40~105°C(TC)

    符合AEC-Q100标准

    支持JEDEC时钟抖动规范

    完全同步操作

    快速时钟频率:800MHz

    差分时钟,CK和CK#

    双向差分数据选通

       -  DQS&DQS#

    8个内部bank并行运行

    8n位预取架构

    流水线内部架构

    预充电和主动断电

    可编程模式和扩展模式寄存器

    附加延迟(AL):0,CL-1,CL-2

    可编程突发长度:4,8

    突发类型:顺序/交错

    输出驱动器阻抗控制

    8192个刷新周期/ 64ms

         - 平均刷新周期

    7.8μs@ -40℃≤TC≤+ 85℃

    3.9μs@ + 85°C <TC≤+ 105°C

    写入均衡

    ZQ校准

    动态ODT(Rtt_Nom和Rtt_WR)

    符合RoHS标准

    自动刷新和自我刷新

    96-ball 8 x 13 x 1.0mm FBGA封装

    无铅和无卤素


表1  速率等级


表2  订购信息 (AS4C64M16D3LA-12BAN)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
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DENSITY
ORGANISATION
VCC(V)
TEMPERATURE RANGE(°C)
PACKAGE
MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN
存储器
FAST-Asynch
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8K x 8
5V
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