【选型】如何选择合适的MOS管——MOS管选型要点
MOS管属于电压控制型半导体元器件,具备输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作范围大等优点。
那么,如何选择合适的MOS管?
首先,应该先确定要采用N沟道还是P沟道的MOS管,如下图:
从上图可以看出N沟道和P沟道的MOS管存在明显的差异,比如说当一度MOS管接地,而负载联接到支线电压上时,该MOS管就构成了高压侧电门,这时候就应采纳N沟道MOS管。反过来当MOS管联接到总线及负载接地时,就要用低压侧开关。通常会在这个拓扑中采用 P 沟道 MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
其次我们将进一步深入确定电压驱动所需要的额外电压,或者说是该机件能够接受的最大电压,如下图:
如上图所示,MOS管额外电压越大,这意味着需要选择的MOS管VDS要求越大,根据MOS管能接受的最大电压进行不同量度不同选型这一点尤其重要,当然一般情况下,便携式设施为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC使用为450~600V。合科泰生产的MOS管耐压威力强,使用范围广,深受广大用户青睐。
当额外电压条件也筛选好后,就要确定MOS管所需要的额外电流,所谓的额外电流其实就是MOS负载正在一切状况下可以接受的最大直流电。与电压的状况类似,即便在系统产生尖峰电流时,也应确保所选的MOS管能接受该额外电流。还有两个需要考虑的电流状况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通形式下,MOS管在于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额外直流电后,还必须计算导通消耗。实际使用的MOS管并不能等效为电阻为0的器件,其在导电过程中存在电耗,这称之为导通消耗。MOS管正在“导通”时就像可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对 MOS管施加的电压 VGS 越高,RDS(ON)就会越小;反之 RDS(ON)就会越大。注意 RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于 RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
接下来判断的条件就是系统的散热要求,这种情况下需要考虑两种不同的情况,即最坏状况和真实状况。
关于MOS管散热这一块,建议采用关于最坏状况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的材料表上再有一些需求注意的测量数据。机件的结温等于最大条件量度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大条件量度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于 I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流,因此可以计算出不同温度下的 RDS(ON)。
最后的判断条件就是MOS管的开关性能,如下图:
从上图可以看出,影响MOS管的开关性能因素有很多,最主要的还是电极/漏极、电极/源极及漏极/源极库容这三方面的参数。电容器每次开关过程都会进行充电,这意味着会产生开关损耗,所以MOS管的开关速度就会降低,从而影响器件的效率。所以在挑选MOS管过程中还需要判断计算出开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOS管开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
综合而言,要挑选合适的MOS管,应从区分N沟道MOS管还是P沟道管MOS、MOS管的额外电压及额外直流电、器件系统的散热要求和MOS管的开关性能四大方面来作出相应的判断。
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