【选型】如何选择合适的MOS管——MOS管选型要点

时间： 2021-08-12 来源：合科泰半导体

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MOS管属于电压控制型半导体元器件，具备输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作范围大等优点。

那么，如何选择合适的MOS管？

首先，应该先确定要采用N沟道还是P沟道的MOS管，如下图：

从上图可以看出N沟道和P沟道的MOS管存在明显的差异，比如说当一度MOS管接地，而负载联接到支线电压上时，该MOS管就构成了高压侧电门，这时候就应采纳N沟道MOS管。反过来当MOS管联接到总线及负载接地时，就要用低压侧开关。通常会在这个拓扑中采用 P 沟道 MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

其次我们将进一步深入确定电压驱动所需要的额外电压，或者说是该机件能够接受的最大电压，如下图：

如上图所示，MOS管额外电压越大，这意味着需要选择的MOS管VDS要求越大，根据MOS管能接受的最大电压进行不同量度不同选型这一点尤其重要，当然一般情况下，便携式设施为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC使用为450～600V。合科泰生产的MOS管耐压威力强，使用范围广，深受广大用户青睐。

当额外电压条件也筛选好后，就要确定MOS管所需要的额外电流，所谓的额外电流其实就是MOS负载正在一切状况下可以接受的最大直流电。与电压的状况类似，即便在系统产生尖峰电流时，也应确保所选的MOS管能接受该额外电流。还有两个需要考虑的电流状况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通形式下，MOS管在于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

选好额外直流电后，还必须计算导通消耗。实际使用的MOS管并不能等效为电阻为0的器件，其在导电过程中存在电耗，这称之为导通消耗。MOS管正在“导通”时就像可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对 MOS管施加的电压 VGS 越高，RDS（ON）就会越小；反之 RDS（ON）就会越大。注意 RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于 RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

接下来判断的条件就是系统的散热要求，这种情况下需要考虑两种不同的情况，即最坏状况和真实状况。

关于MOS管散热这一块，建议采用关于最坏状况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的材料表上再有一些需求注意的测量数据。机件的结温等于最大条件量度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大条件量度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于 I2×RDS（ON）。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的 RDS（ON）。

最后的判断条件就是MOS管的开关性能，如下图：

从上图可以看出，影响MOS管的开关性能因素有很多，最主要的还是电极/漏极、电极/源极及漏极/源极库容这三方面的参数。电容器每次开关过程都会进行充电，这意味着会产生开关损耗，所以MOS管的开关速度就会降低，从而影响器件的效率。所以在挑选MOS管过程中还需要判断计算出开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOS管开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

综合而言，要挑选合适的MOS管，应从区分N沟道MOS管还是P沟道管MOS、MOS管的额外电压及额外直流电、器件系统的散热要求和MOS管的开关性能四大方面来作出相应的判断。

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