【产品】H桥型功率MOSFET模块ECO-PAC 2封装，均为可焊接引脚

时间： 2018-04-27 来源：Littelfuse

技术问答

LITTELFUSE旗下IXYS公司推出的H桥型功率MOSFET模块有两种，它们分别是VKM60-01P1和VKM40-06P1。这两种器件均是N沟道增强型MOSFET，且为ECO-PAC 2封装技术，为可焊接引脚。

图1 H桥功率MOSFET电路图

VKM60-01P1有着稳健的dv/dt：当I_S≤I_DM，di/dt≤100A/µs，V_DD≤V_DSS，T_J≤150°C，R_G=2Ω时，dv/dt为5V/ns，数值较大，因此开关关断电压斜率影响器件的持续能力较高，器件不易损坏，能够维持电路稳定。VKM60-01P1的导通电压较低：V_GS=10V，I_D=0.5I_D25，Pulse test，t<300µs，duty cycle d < 2%时，R_DS_(on)最大值仅为25mΩ，导通损耗较低。在高频操作时，VKM60-01P1由于有着低栅极电荷而有着很好表现：V_GS=10V，V_DS= 0.5•V_DSS，I_D=0.5I_D25时，Q_g_(on)最大值仅为260nC，可以达到快速开关速度同时减小对驱动的要求。

VKM40-06P1的导通电压较低：V_GS=10V，I_D=0.5I_D25，Pulse test，t<300µs，duty cycle d < 2%时，R_DS_(on)最大值为70mΩ，导通损耗较低。T_VJ=25°C-150°C时，它的V_DSS最大值为600V，可以用在较大功率电路。它为电绝缘底座封装，在使用时能够确保安全。因为封装厚度较薄，VKM40-06P1的热阻很低：每一个MOSFET的R_th最大值仅为0.45K/W，因此器件又很好的散热性能。

VKM60-01P1：

主要特征：
·稳健的dv/dt
·低导通电阻
·低栅极电荷
·非钳位感应开关能力
·快速本征反向二极管

主要应用：
·驱动器
·电源
·燃料电池供电
·汽车、工业车辆

VKM40-06P1：

主要特征：
·低导通电阻
·高耐压
·绝缘底座
·低热阻

主要应用：
·开关电源
·不断电电源
·功率因数校正器
·感应加热设备

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