【产品】TO-126封装的鲁晶N沟道功率MOSFET 2N60，漏源电压为600V，连续漏极电流为2A

时间： 2023-02-07 来源：鲁晶

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鲁晶推出N沟道功率MOSFET 2N60，采用TO-126封装，具有鲁棒高压端接、指定雪崩能量、二极管适用于桥式电路等特性。漏源电压为600V，连续漏极电流为2A，可安装在任何位置。

特性

鲁棒高压端接

指定雪崩能量

二极管适用于桥式电路

V(BR)DSS=600V

RDS_(ON)MAX：4.4Ω@10V

ID：2A

N沟道功率MOSFET

机械数据

外壳类型：TO-126模压塑封

安装位置：任何

最大额定值和特性@25℃环境温度，除非另有说明

MOSFET电气特性（Ta=25℃，除非另有说明）

Notes :

1、L=16mH，I_L=5A, V_DD=50V，R_G=25Ω，开始 T_J=25℃。

2、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

3、这些参数无法验证。

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