CISSOID推出高压SiC栅极驱动板，提供高dI/dt、高dV/dt鲁棒性，有效保护电源模块

时间： 2021-08-12 来源：CISSOID

技术问答

宽带隙半导体，尤其是碳化硅 (SiC)，具有更高的效率和更高的功率密度，使其成为电动汽车 (EV) 和工业电源转换器（包括电机驱动逆变器和电池充电器）的首选技术。要充分利用 SiC MOSFET 的快速开关和低损耗优势，则需要面临两个挑战：获得具有低寄生电感的优化良好的功率模块；找到可靠高效的栅极驱动器来驱动它们。

CISSOID提供额定温度为 125°C (Ta) 的高压 SiC 栅极驱动板，针对 62mm 和 XM3 SiC MOSFET 功率模块进行了优化：

●CMT-TIT8243 用于62mm/1200V 碳化硅功率模块。

●CMT-TIT8244 用于62mm/1700V 碳化硅功率模块。

●CMT-TIT0697 用于XM3/1200V 碳化硅功率模块。

它们提供高 dI/dt 、高 dV/dt 的鲁棒性及对电源模块的保护：

●欠压锁定（UVLO）

●抗重叠保护（PWM输入）

●脉冲抑制器（PWM 输入）

●有源米勒钳位

●退保和保护

●栅源短路保护

这些栅极驱动板为汽车和工业应用中的高密度电源转换器提供散热设计余量，支持高频 (>100kHz) 和快速开关 (dV/dt>50kV/µs)，从而提高效率并减小尺寸和重量。CISSOID 还利用栅极驱动器技术为三相 SiC MOSFET 功率模块提供定制栅极驱动板，这是CISSOID 三相 SiC MOSFET 智能功率模块的核心。

性能

CISSOID 的 SiC 栅极驱动板具有如下性能：

●工作温度：-40°C至125°C

●总线电压：1200V至1700V max

●14mm爬电距离/12mm间隙

●隔离电压：3600VAC至4600V@50Hz（1min）

●>50kV/µs dV/dt 抗扰度

●初级和高级之间的寄生电容：10pF

●开关频率高达100kHz

●+20V/-5V或+15V/-4V（3%精度）栅极驱动电压

●低电感栅极回路设计

●单电源：12V～18V

●RS422 PWM输入接口

●开漏故障输出

●可选的板载抗重叠发生器

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