CISSOID推出高压SiC栅极驱动板,提供高dI/dt、高dV/dt鲁棒性 ,有效保护电源模块
宽带隙半导体,尤其是碳化硅 (SiC),具有更高的效率和更高的功率密度,使其成为电动汽车 (EV) 和工业电源转换器(包括电机驱动逆变器和电池充电器)的首选技术。要充分利用 SiC MOSFET 的快速开关和低损耗优势,则需要面临两个挑战:获得具有低寄生电感的优化良好的功率模块;找到可靠高效的栅极驱动器来驱动它们。
CISSOID提供额定温度为 125°C (Ta) 的高压 SiC 栅极驱动板,针对 62mm 和 XM3 SiC MOSFET 功率模块进行了优化:
●CMT-TIT8243 用于62mm/1200V 碳化硅功率模块。
●CMT-TIT8244 用于62mm/1700V 碳化硅功率模块。
●CMT-TIT0697 用于XM3/1200V 碳化硅功率模块。
它们提供高 dI/dt 、高 dV/dt 的鲁棒性及对电源模块的保护:
●欠压锁定(UVLO)
●抗重叠保护(PWM输入)
●脉冲抑制器(PWM 输入)
●有源米勒钳位
●退保和保护
●栅源短路保护
这些栅极驱动板为汽车和工业应用中的高密度电源转换器提供散热设计余量,支持高频 (>100kHz) 和快速开关 (dV/dt>50kV/µs),从而提高效率并减小尺寸和重量。CISSOID 还利用栅极驱动器技术为三相 SiC MOSFET 功率模块提供定制栅极驱动板,这是CISSOID 三相 SiC MOSFET 智能功率模块的核心。
性能
CISSOID 的 SiC 栅极驱动板具有如下性能:
●工作温度:-40°C至125°C
●总线电压:1200V至1700V max
●14mm爬电距离/12mm间隙
●隔离电压:3600VAC至4600V@50Hz(1min)
●>50kV/µs dV/dt 抗扰度
●初级和高级之间的寄生电容:10pF
●开关频率高达100kHz
●+20V/-5V或+15V/-4V(3%精度)栅极驱动电压
●低电感栅极回路设计
●单电源:12V~18V
●RS422 PWM输入接口
●开漏故障输出
●可选的板载抗重叠发生器
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由深蓝的鱼翻译自CISSOID,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
CISSOID Delivers Robust Gate Drivers for Wolfspeed XM3 Fast Switching SiC Power Modules
Mont-Saint-Guibert, Belgium – January 14, 2020. CISSOID, the leader in high-temperature semiconductors for the most demanding markets, delivers robust Gate Drivers for XM3 SiC MOSFET Power Modules from Wolfspeed. Aiming high power density converters, the new Gate Driver board safely drives the fast switching SiC power modules to achieve low losses and operates in high-temperature environments found inside space-constrained motor drives, compact power supplies, or fast battery chargers.
聚焦慕尼黑印度电子展,捷捷微电展现汽车、消费电子及工业应用领域技术新突破
2024年9月11日至13日,捷捷微电将亮相慕尼黑印度电子展(electronica India),展会地点位于印度新德里大诺伊达的印度博览中心。作为中国功率半导体行业的领先企业之一,捷捷微电将在10号馆F45展位展示多样化的半导体产品,涵盖汽车、消费电子及工业应用。
CISSOID Introduced the EVK-PLA1060 On-Board Inverter Reference Designs in the Industrial Vehicle Technology Expo 2024
The Industrial Vehicle Technology Expo at the Donald E. Stephens Convention Center in Chicago, held from 21st to 22nd August. CISSOID Introduced the compact EVK-PLA1060 series of On-Board Inverter Reference Designs in the USA.
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
【产品】用于驱动62mm 1200V/300A SiC MOSFET模块的栅极驱动板,专业恶劣电压环境设计
CISSOID推出的CMT-TIT8243是一款栅极驱动板,针对额定温度为125°C (Ta) 的62毫米碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。该板基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver Datasheet
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
1200V High Temperature (125°C) Half- Bridge SiC MOSFET Gate Driver Datasheet (for Wolfspeed XM3 Power Modules)
型号- CMT0697,CMT-TIT0697A,CMT-TIT0697
BRIEF INTRODUCTION
型号- CMT-TIT2785A,CMT-TIT0697A + CB2,CAB450M12XM3,LIC-STROMBOLI15/40/CHT,CMT-TIT0697A,LIC-EREBUS40,EVK-VOL1088C,EVK-TIT2785A/CHT,LIC-STROMBOLI150,LIC-STROMBOLI350,EVK-VOL1088A,CMT-PLA12300AA+CST7750A1,EVK-VOL1088B,CMT-TIT8402A,CMT-TIT8243A/TIT8244A,EVK-VOL1088A/B/CHT,LIC-VESOVIO30,CMT-TIT8243A/CMT,LIC-STROMBOLI150/350/CHT,LIC-STROMBOLI15,CMT-TIT8244A,LIC-EREBUS40/50/CHT,CST7750A1,CMT-PLA12XXXAA+CST7750A1,LIC-VESOVIO30/CHT,CMT-TIT8243/8244A + BM2,CAS300M12BM2,LIC-STROMBOLI40,CMT-TIT0697A/CMT,CMT-TIT8402A/CMT,CMT-TIT8244A/CMT,CMT-TIT8243A,CMT-PLA12450AA+CST7750A1
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver Preliminary Datasheet
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
【产品】1700V高温(125°C)半桥SiC MOSFET栅极驱动器,为汽车和工业中的高密度电源转换器设计提供热余量
CISSOID CMT-TIT8244是一款栅极驱动器模块,针对额定温度为125°C的62毫米碳化硅 (SiC)MOSFET功率模块进行了优化。该模块基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。
【产品】总线电压最高1200V栅极驱动板,专为驱动XM3 1200V/300A SiC MOSFET模块而设计
CMT-TIT0697 是一款栅极驱动板,针对额定温度为 125°C (Ta) 的 XM3 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。 该板基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。
A High Temperature Gate Driver for Half Bridge SiC MOSFET 62mm Power Modules
型号- CAS300M12BM2,CMT-TIT8243
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
电子商城
服务
可加工PCB层数:4~32层,加工板材:多层板/HDI板/FR4板/高频板/高速板/高温板/铜基板/铝基板/陶瓷基板/软硬结合板,成品尺寸:3~1100mm,板厚:0.15-80mm,最小孔径:0.1mm,铜厚:最高14oz。
最小起订量: 1 提交需求>
采用SMT/SMT+DIP封装加工,PCB成品尺寸:50*50~340*500mm,板厚:0.6~3.0mm,最快交期:2~3天。支持1~200片(拼版200片)的PCBA主板贴片。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论