【产品】采用PDFN3X3-8L封装的国产N沟道增强型MOSFET AP85N04Q，规格40V/65A
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP85N04Q，采用先进的沟槽技术，具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
产品引脚分配及原理图
特点：
漏源电压VDS=40V，连续漏极电流ID=65A
漏源导通电阻RDS(ON)<5.9mΩ（VGS=10V），典型值5mΩ
漏源导通电阻RDS(ON)<10mΩ（VGS=4.5V），典型值7.5mΩ
先进的沟槽技术
无铅产品
低漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用：
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. EAS条件：TJ=25℃，VDD=20V，RG=25Ω，L=0.5mH
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4. 表面贴装在FR4板，t≤10s
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