【产品】采用PDFN3X3-8L封装的国产N沟道增强型MOSFET AP85N04Q，规格40V/65A
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP85N04Q，采用先进的沟槽技术，具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
产品引脚分配及原理图
特点：
漏源电压VDS=40V，连续漏极电流ID=65A
漏源导通电阻RDS(ON)<5.9mΩ（VGS=10V），典型值5mΩ
漏源导通电阻RDS(ON)<10mΩ（VGS=4.5V），典型值7.5mΩ
先进的沟槽技术
无铅产品
低漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用：
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. EAS条件：TJ=25℃，VDD=20V，RG=25Ω，L=0.5mH
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4. 表面贴装在FR4板，t≤10s
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铨力半导体Trench MOS选型表
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产品型号
|
品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
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45/52
|
52/67
|
-
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2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
AP25N06Q N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了AP25N06Q型N通道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- AP25N06Q
AP6N10A N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AP6N10A型号的N-Channel Enhancement Mosfet，详细描述了其电气特性、应用领域、封装信息以及典型特性曲线。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和高性能沟槽技术等特点，适用于DC/DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
型号- AP6N10A
APG4015G-Au N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了APG4015G-AU型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件由All Power Microelectronics Co., Ltd生产，符合AEC-Q101标准，适用于高温环境下的应用。
型号- APG4015G-AU
APG082N01 N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了APG082N01型N沟道增强型MOSFET的特性及应用。该器件采用Split Gate trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- APG082N01
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描述- 本资料详细介绍了AP12N018EQD双通道增强型MOSFET的特性、电气参数、应用领域和封装信息。该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等。
型号- AP12N018EQD
AP25N06K N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了AP25N06K型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件采用先进的 trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。它适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- AP25N06K
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描述- 本资料详细介绍了AP17N20EQD双通道增强型MOSFET的电气特性、应用领域、封装信息等。该产品采用先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻和低栅极电荷，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- AP17N20EQD
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型号- AP040N03G
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描述- 该资料详细介绍了APG055N06G型号的N沟道增强型MOSFET的特性。它具有60V的漏源电压、90A的连续漏极电流和低导通电阻（典型值小于4.2mΩ）。此外，该器件符合RoHS标准且不含卤素，适用于电池管理系统、PWM应用和直流-直流转换器等领域。
型号- APG055N06G
APG018N03G N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了APG018N03G型号的N-Channel Enhancement Mosfet（增强型N沟道MOSFET）的电气特性、应用领域、封装信息等。资料中提供了该产品的关键参数，如漏源电压、栅极源极电压、持续漏极电流、导通电阻等，并说明了其在电源管理和DC/DC转换器等领域的应用。
型号- APG018N03G
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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授权代理品牌：接插件及结构件
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