【产品】双通道P沟道增强型 MOSFET CMKDM8005,适应于体积受限的产品

时间： 2017-11-05 来源：Central

技术问答

Central半导体公司推出的产品CMKDM8005为双通道P沟道增强型 MOSFET。它的额定电压为20V ，额定电流为650mA。它具有最大仅0.5Ω 的低导通电阻，使它具有低的导通损耗，从而取得高效率。最小为0.5V 的低VGS（th）阈值电压，使它易于驱动。它的栅极总电荷仅0.24nC ，开关损耗低。损耗功率为350mW ，效率高，热耗低。它的结温范围为-65～150℃ ，具有良好的高低温特性，可以适应恶劣的环境。它的封装采用非常小的贴片SOT-363 ，尺寸为2.2mm×2.3mm×1.1mm 。体积很小，效率高，便于布板，可以提高产品功率密度。是兼顾高功率密度和高效率的理想选择，适用于器件体积受限的产品中。

CMKDM8005具有2kV 的静电防护电压，具备完整的瞬态保护。它还兼容逻辑电平，使它应用广泛。每个MOSFET的静态导通漏电流为650mA，漏电流低，静态损耗低。两路MOSFET特性紧密匹配，具有很高的一致性，它应用于Boost和Buck电路中，可以利用双路MOSFET分别充当电路中的开关器件和续流二极管，也可以用双路MOSFET并联充当开关器件来扩容，增大MOSFET的额定电流。

图一 CMKDM8005实物图

此外，CMKDM8005还主要应用在高速脉冲放大器、开关电源、电源管理、电机控制等产品中。

CMKDM8005双通道P沟道增强型 MOSFET的特性：

• ESD防护电压2kV.

• 低RDS(on)（最大为 0.5Ω）

• 低VGS（th）阈值电压（最小为0.5V）

• 兼容逻辑电平

• 低栅极总电荷（仅0.24nC）

• 每个的漏电流为650mA

• 紧密匹配的特性

• 完整的瞬态保护

• 工业标准封装SOT-363

• 机翼式结构消除拉力

CMKDM8005双通道P沟道增强型 MOSFET的应用：

• 高速脉冲放大器

• 开关电源

• 升压和降压变换器电路

• 电源管理

• 电机控制

技术顾问：坚栋

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