【产品】扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，采用散热封装，漏源击穿电压最小值20V
扬杰科技推出的YJQ47N02A是一款N沟道增强型场效应晶体管，使用沟槽功率低压MOSFET技术，采用针对低漏源通态电阻的高密度单元进行设计，具有良好的散热封装。
产品图&封装图（DFN3.3X3.3）&电路图
产品概况：
漏-源电压VDS20V
漏极直流电流ID47A
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=4.5V时）＜6mohm
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=2.5V时）＜8mohm
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=1.8V时）＜14mohm
产品描述：
沟槽功率低压MOSFET技术
出色的散热封装
针对低漏源通态电阻的高密度单元设计
产品应用：
直流-直流变换器
电源管理功能
绝对最大额定值（若无其他说明则TA=25℃）
订购信息（例）
电气参数（若无其他说明则TJ=25℃）
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