【产品】扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，采用散热封装，漏源击穿电压最小值20V
扬杰科技推出的YJQ47N02A是一款N沟道增强型场效应晶体管，使用沟槽功率低压MOSFET技术，采用针对低漏源通态电阻的高密度单元进行设计，具有良好的散热封装。
产品图&封装图（DFN3.3X3.3）&电路图
产品概况：
漏-源电压VDS20V
漏极直流电流ID47A
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=4.5V时）＜6mohm
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=2.5V时）＜8mohm
漏源通态电阻RDS(ON)（栅-源电压VGS=1.8V时）＜14mohm
产品描述：
沟槽功率低压MOSFET技术
出色的散热封装
针对低漏源通态电阻的高密度单元设计
产品应用：
直流-直流变换器
电源管理功能
绝对最大额定值（若无其他说明则TA=25℃）
订购信息（例）
电气参数（若无其他说明则TJ=25℃）
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
YJH03N10A N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJH03N10A型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力。适用于直流-直流转换器和电源管理功能。
型号- YJH03N10A
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型号- YJG2D0G04AQ
YJD50N06A N沟道增强型场效应晶体管
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型号- YJD50N06A
YJQ62G06A N沟道增强型场效应晶体管
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型号- YJQ62G06A
YJG5D0G10H N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG5D0G10H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元格设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用。
型号- YJG5D0G10H
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型号- YJL03N06A
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型号- YJB6D8G15H
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型号- YJD35N06A
YJGD60G04HHQ N沟道增强型场效应晶体管
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型号- YJGD60G04HHQ
YJG9D5G06A N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG9D5G06A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件具有高密度设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。
型号- YJG9D5G06A
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型号- YJD180N03A
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型号- YJL3018KJ
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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