【产品】漏源电压高达650V的SiC MOSFET，导通电阻40mΩ，适用于电动汽车充电装置等应用

时间： 2021-08-09 来源：瞻芯电子

技术问答

瞻芯电子推出漏源电压高达650V的快速恢复体二极管SiC MOSFET IV1Q06040T4，采用TO247-4封装，具有导通电阻小（40mΩ典型值，V_GS=20V, I_D=20A@T_J=25℃ ）、寄生电容小、工作结温高（-55℃~175℃）的特点，适用于电动汽车充电装置等应用。

产品封装及电路图

特点：

高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
开尔文连接驱动

应用：

电动汽车充电装置
服务器和通信电源
光伏逆变器
UPS 电源
高压 DC/DC 变换器
开关电源

最大额定值（T_C=25℃，特殊说明除外）

热阻特性

电学特性（T_C=25℃，特殊说明除外）

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本文由董慧转载自瞻芯电子，原文标题为:IV1Q06040T4– 650V 40mΩ SiC MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（2）

夏拉 Lv7. 资深专家 2021-08-10

学习
dylen Lv7. 资深专家 2021-08-10

学习

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

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产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

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