【产品】漏源电压高达650V的SiC MOSFET，导通电阻40mΩ，适用于电动汽车充电装置等应用

时间： 2021-08-09 来源：瞻芯电子

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

瞻芯电子推出漏源电压高达650V的快速恢复体二极管SiC MOSFET IV1Q06040T4，采用TO247-4封装，具有导通电阻小（40mΩ典型值，V_GS=20V, I_D=20A@T_J=25℃ ）、寄生电容小、工作结温高（-55℃~175℃）的特点，适用于电动汽车充电装置等应用。

产品封装及电路图

特点：

高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
开尔文连接驱动

应用：

电动汽车充电装置
服务器和通信电源
光伏逆变器
UPS 电源
高压 DC/DC 变换器
开关电源

最大额定值（T_C=25℃，特殊说明除外）

热阻特性

电学特性（T_C=25℃，特殊说明除外）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 2
| 转发至：

本文由董慧转载自瞻芯电子，原文标题为:IV1Q06040T4– 650V 40mΩ SiC MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（2）

夏拉 Lv7. 资深专家 2021-08-10

学习
dylen Lv7. 资深专家 2021-08-10

学习

没有更多评论了

【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装

瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源、电机驱动、高压 DC/DC变换器、开关电源等。

2020-10-21 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品，比TO263-7封装体积小60%

近日，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅MOSFET产品，已完成工规级可靠性认证。这两款产品采用TOLL封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰，简化PCB设计。

2023-03-08 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】1200V 50mΩ车规级SiC MOSFET IV1Q12050T4Z，焊接温度260℃

瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET-IV1Q12050T4Z，漏源电压1200V，焊接温度260℃，结到外壳的热阻0.436℃/W，最大耗散功率344W；具有高工作结温，高压、低导通电阻等特性。

2022-08-10 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

【经验】Littelfuse SiC MOS管让光伏逆变器峰值效率高达99%

以10kW三相光伏逆变器为例，在逆变电路中采用littelfuse 1200V/80mΩ的SiC MOS管（LSIC1MO120E0080）和650V/40A的IGBT单管相结合，开关频率由16kHz提高至50kHz。在输出三相交流400V时，其最大输出电流可达18A，峰值效率高达99%，功率密度达到1Kw/L，有效的提高了整机效率和功率密度。