【应用】国产N沟道增强型MOS .8205SP用于遥控器充电开关电路，阻抗低至22mΩ

时间： 2022-08-16 来源：世强

技术问答

生活中我们常常有见过不可充电电池和可充电电池，可充电电池的好处是经济、环保、电量足、反复充电，深得消费者的喜欢。运用的电器产品有随身听、电动玩具等。本文介绍富满电子推出的N沟道增强型MOS .8205S/P，应用于遥控器锂电池充放电的开关电路中。

MOS .8205S/P在遥控器锂电池充放电的开关电路，部分应用图：

从框图可以看出当充电时P+电源经电池到Q2的二极管正向导通，此时DW01-A的COUT输出电平控制Q1导通到P-极，形成了充电回路；当放电时，电池正极通过P+到负载，再到P-极经Q1二极管正向导通，此时DW01-A的DOUT输出电平控制Q2导通，再到电池负极，形成了放电回路。MOS:.8205S/P在电路中作为电池充电和放电的开关控制作用，电路相对简单。

MOS .8205SP的参数特性：

1、漏源电压较高VDS：20V，满足单节锂电池充放电耐压要求。

2、栅源电压VGS：±12V。最大的栅极阈值电压1.4V。

3、较高的漏极电流ID：6A，漏极脉冲电流IDM：18A，带载能力更强。

4、RDS(ON)，Vgs@4.5V，Ids@4.5A=22mΩ，具有较低的阻抗，损耗更小。

5、最大功耗PD：1.68W（TA= 25℃）。

6、工作结温范围-55℃~+150℃，满足消费类产品应用环境。

7、二极管最大正向电流IS最大值1.7A。

8、超小型化的SOT23-6 封装，更好节省PCB板空间。

设计时注意事项：

1、要布线线路中，回路尽量短。

2、布线时线径要能满足电流要求。

综上所示，在遥控器的产品应用中，富信电子推出的MOS .8205S/P具有带载能力较强，内阻较小，电路应用简单，满足客户电池充电开关控制的需求。在方案开发应用中，世强可以提供及时的技术服务，在货源上能给于稳定供货支持。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由周海生提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】PJD40N04 N沟道增强型MOSFET在汽车车窗电机驱动电路的应用

panjit(强森)公司生产的N沟道增强型MOSFET— PJD40N04，导通电阻最大12mΩ（VGS=10V，ID=20A），并具有高开关速度和合适的电气参数值，适合做为车窗电机的驱动电路主功率器件。

应用方案发布时间 : 2019-07-31

【应用】低功耗双N沟道MOSFETCMLDM7002A在PSE控制器中的应用

Central Semiconductor公司生产的CMLDM7002A双N通道增强型MOS管，具有低导通电阻和低漏-源导通压降的优点，适合作为PSE控制电路的供电开关。

应用方案发布时间 : 2019-06-29

富信锂电池充放电保护IC DW01A和双N沟道增强型MOS管FS2007N为电子设备提供稳定可靠的安全性能

针对锂电池的保护需求，推荐使用富信半导体的一款锂电池充放电保护IC DW01A，该产品具有零伏充电，过放自恢复；精确的过充保护，精度可达±50mV；宽工作电压范围，可满足-40℃~+85℃环境条件；具有小型化封装，封装为SOT-23-6L。

应用方案发布时间 : 2023-03-27

【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA，漏源电压20V

富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管，型号8205LA，采用SOT23-6封装，具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。

产品发布时间 : 2023-05-01

富满电子MOSFET选型表

富满电子提供以下参数的N沟道超级结功率MOSFET，N-Channel Power Mosfet，N沟道增强型MOS 场效应管，P-Channel Trench Power Mosfet选型，Vds：450V~700V,Vgs:8V~30V,Rds(on）Typ10V :0.55mΩ~5000mΩ

产品型号	品类	Vds(v)	ID@TC=25℃（A）	Rds(on）Typ10V (mΩ)	Vgs （±V）	Vth（V）	Configuration	Package
FM50R3K0K	N沟道超级结功率MOSFET	500	1.5	3000	30	3.0-4.5	Single-N	TO252

选型表 - 富满电子立即选型

8205A/X 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

型号- 8205A/X

数据手册 - 富满电子 - Version 1.0 - 2024/6/14 PDF 中文下载

低耗散功率NMOS管HKTQ80N03，漏源导通电阻仅0.0052Ω，可用于BMS/快充/电机驱动等应用

本文合科泰电子给大家介绍一款N沟道MOS管HKTQ80N03，它可用于开关电路和电机驱动等上面。这款产品具有很好的电学特性。它的漏源电压30V，栅源电压±10V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0052欧姆，最小栅极阈值电压1V。导通电阻非常低，耗散功率低，非常适用于低功耗应用，可用于负载开关应用，连续漏极电流非常大，适用于DC到DC转换器应用等。

产品发布时间 : 2024-04-13