【产品】大电流MOSFET推荐，N沟道增强型硅场效应管CXDM3069N

时间： 2017-11-04 来源：Central

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N沟道增强型硅场效应管,大电流MOSFET,CXDM3069N,Central Semiconductor

Central公司推出了一款专为高速脉冲放大器和驱动器应用而生的半导体场效应管--CXDM3069N。CXDM3069N是N沟道增强型硅场效应管，在栅源电压为2.5V时，导通电阻仅为50mΩ，因此大大降低了导通损耗。CXDM3069N还能提供较高电流，最大电流可以达到6.9A，因此可以提供高功率，并且它还有很好的逻辑电平兼容性，在多级电路中使用方便。因此CXDM3069N在大功率和大电流应用场景下极具优势，是高速脉冲放大器和驱动器很好的选择。

主要特点：

低导通电阻：=25mΩ（VGS=10V,ID=7A）

低阈值电压：最小=0.7V，典型=0.9V，最大=1.4V

大电流：最大支持6.9A

逻辑电平兼容性强

典型应用：

负载/电源开关

电源转换器电路

电池供电的便携式设备

图1：CXDM3069N产品图

技术顾问：Ivan_wu

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小倾听 Lv8. 研究员 2018-04-20

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向幸福出发 Lv7. 资深专家 2017-11-04

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