【产品】军品级半桥拓扑氮化镓功率晶体管,漏源连续电压高达100V

2018-06-28 EPC
半桥拓扑氮化镓功率晶体管,增强型功率晶体管,军品级氮化镓功率晶体管,高电压氮化镓功率晶体管 半桥拓扑氮化镓功率晶体管,增强型功率晶体管,军品级氮化镓功率晶体管,高电压氮化镓功率晶体管 半桥拓扑氮化镓功率晶体管,增强型功率晶体管,军品级氮化镓功率晶体管,高电压氮化镓功率晶体管 半桥拓扑氮化镓功率晶体管,增强型功率晶体管,军品级氮化镓功率晶体管,高电压氮化镓功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)的EPC2104增强型功率晶体管为氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2104为单片式半桥氮化镓半桥功率晶体管,它的漏源连续电压高达100V,支持较高电压电路,可以胜任苛刻的应用环境。脉冲电流最高为180A((25°C, TPULSE = 300 µs),漏极连续电流为30A,可满足工业需求。漏源通态电阻RDS(on)较低,在VGS= 5V,ID=20A时,最大值为6.8mΩ,能够有效降低导通损耗,减少产热,提高效率。同时它的漏源恢复电荷为0,最大程度的降低了输出电荷的损耗,使开关转换时的噪声更低,更高效,提升了FET开关应用的品质因数,可应用在高频DC-DC转换,马达驱动器等领域。


半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2104通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积更低。这会提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。


半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2104,符合RoHS,无铅,无卤素,使用芯片规模封装,封装尺寸为6.05mm×2.3mm,功率密度很高,操作温度和存储温度均为-40℃~150℃,符合军品级器件的温度要求,能够胜任各种苛刻的应用环境,可靠性极高。


半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2104实物图


半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2104主要特点和优势:

·漏源连续电压较高(100V),支持高电压电路

·低占版面积,实现更高功率密度

·低开关损耗、低寄生电感、低驱动功率,实现更快开关频率

·零漏源恢复电荷,实现高效


半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2104主要应用:

·高频DC-DC转换

·马达驱动器

 

 

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  • 星风 Lv7. 资深专家 2018-11-11
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