【产品】专为通用开关应用而设的硅NPN达林顿功率晶体管2N6576、2N6577和2N6578

2018-11-28 CENTRAL
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Central半导体公司推出的2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管，采用TO-3的封装形式，占用电路空间小。该系列器件具有高耐压值、高电流能力、低饱和压降等特点，是专为通用开关应用而设计的。


图1. 2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管产品外观图

 

三款硅NPN达林顿功率晶体管具有较高的耐压值。2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的集电极—基极电压VCBO分别为60V、90V、120V；2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的集电极—发射极电压VCEO分别为60V、90V、120V；三款硅NPN达林顿功率晶体管的发射极—基极电压VEBO为7.0V，可保证器件能够正常工作而不被损坏。三款硅NPN达林顿功率晶体管的连续集电极电流IC为15A，集电极峰值电流ICM为30A；其连续基极电流IB为250mA，基极峰值电流IBM为500mA；其连续发射极电流IE为15.25A，发射极峰值电流IEM为30.50A，可满足大电流应用的设计需求。三款硅NPN达林顿功率晶体管的操作和存储结温均为-65℃~+200℃，可以很好地适应不同的温度环境，在恶劣环境条件下能够保证良好的工作性能。该系列器件的功耗PD为120W，热阻为1.46°C/W。

 

2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的温度特性较好，其集电极—基极反向电流ICBO的最大值为500μA。该系列器件的性能较好，其集电极—发射极反向击穿电流ICEO为1.0 mA。2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的集电极—发射极反向击穿电压BVCEO的最小值分别为60V、90V、120V（@ IC=200mA）。三款硅NPN达林顿功率晶体管的具有较低的饱和压降，当IC=10A,IB=100mA时，其集电极-发射极饱和压降VCE(SAT)最大值为2.8V，其基极-发射极饱和压降VBE(SAT) 最大值为3.5V。当VCE=3.0V, IC=4.0A时，该系列器件的电流放大系数hFE的范围为2.0K~20K。该系列器件的特征频率fT的范围为10 MHz ~200MHz @ VCE=3.0V,IC=3.0A, f=1.0MHz，中频晶体管也可，高频晶体管也可。当VCC=30V, IC=10A，IB1=100mA时，该系列器件的延迟时间td为0.15μs，上升时间tr为1.0μs。当VCC=30V, IC=10A, IB1=IB2=100mA时，该系列器件的存储时间ts为2.0μs，下降时间tf为7.0μs。


 

图2. 2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的机械尺寸（1基极，2发射极Case集电极）


2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的最大额定参数如下：(TA=25°C)

参数

2N6576

2N6577

2N6578

单位

VCBO

60

90

120

V

VCEO

60

90

120

V

VEBO

7.0

V

IC

15

A

ICM

30

A

IB

250

mA

IBM

500

mA

IE

15.25

A

IEM

30.50

A

PD

120

W

TJ, Tstg

-65~+200

°C

JC

1.46

°C/W

 

2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的电气参数如下：(TA=25°C)

参数

最小值

最大值

条件

单位

ICBO


500

VCB=Rated VCBO

μA

ICEV


5.0

VCE=Rated VCEO, VEB=1.5V

mA

ICER


5.0

VCE=Rated VCEO, RBE=10kΩ, TC=150°C

mA

ICEO


1.0

VCE=Rated VCEO

mA

IEBO


7.5

VEB=7.0V

mA

BVCEO

60


IC=200mA   (2N6576)

V

BVCEO

90


IC=200mA   (2N6577)

V

BVCEO

120


IC=200mA   (2N6578)

V

VCE(SAT)


2.8

IC=10A, IB=100mA

V

VCE(SAT)


4.0

IC=15A, IB=150mA

V

VBE(SAT)


3.5

IC=10A, IB=100mA

V

VBE(SAT)


4.5

IC=15A, IB=150mA

V

hFE

200


VCE=3.0V, IC=400mA


hFE

2.0K

20K

VCE=3.0V, IC=4.0A


hFE

500

5.0K

VCE=3.0V, IC=10A


hFE

100


VCE=4.0V, IC=15A


VF


4.5

IEC=15A

V

fT

10

200

VCE=3.0V, IC=3.0A,   f=1.0MHz

MHz

td


0.15

VCC=30V, IC=10A, IB1=100mA

μs

tr


1.0

VCC=30V, IC=10A, IB1=100mA

μs

ts


2.0

VCC=30V, IC=10A, IB1=IB2=100mA

μs

tf


7.0

VCC=30V, IC=10A, IB1=IB2=100mA

μs

 

2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的产品特点：

•高电压，集电极—基极电压VCBO分别为60V、90V、120V，集电极—发射极电压VCEO分别为60V、90V、120V，发射极—基极电压VEBO为7.0V

•高电流能力，连续集电极电流IC为15A，集电极峰值电流ICM为30A

•操作和存储结温均为-65℃~+200℃

•热阻为1.46°C/W

•温度特性较好，集电极—基极反向电流ICBO的最大值为500μA

•集电极—发射极反向击穿电压BVCEO的最小值分别为60V、90V、120V@ IC=200mA

•较低的饱和压降，集电极-发射极饱和压降VCE(SAT)最大值为2.8V@ IC=10A,IB=100mA

•特征频率fT的范围为10 MHz ~200MHz @ VCE=3.0V,IC=3.0A,f=1.0MHz

 

2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管的应用领域：

•通用开关应用

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