【经验】德欧泰克基于硅晶圆的第3代肖特基二极管在极性保护/电源输出整流应用中的优势

时间： 2020-04-04 来源：Diotec

技术问答

肖特基对我们工程使用者来讲并不陌生，肖特基工艺与普通二极管工艺完全不同，普通二极管PN结直接构造而成，肖特基需要表面加上金属层与外加工P型保护环与底部N形成PN结，由于此原因，所以肖特基的V_F值进一步减低原来硅材料导通压，同时把漏电流控制下来。随着碳化硅-肖特基问世，高于200V以上应用则需要选择碳化硅-肖特基，低于或等于200V低成本则选择原材料硅-肖特基。

德欧泰克一直专注原材料硅-肖特基的创新，目前肖特基已经发展为第3代技术，该技术比MOS沟槽更有卓越性，性能更加稳定。德欧泰克在肖特基二极管上可以提供工业等级与车规ACE-Q101的等级。本章主要介绍以下3点内容：

第三代肖特基工艺；

第三代肖特基二极管在极性保护应用电路选型推荐以及应用优势；

第三代肖特基二极管在电源输出整流选型推荐以及应用优势；

1. 第三代肖特基的工艺以及优势

1.1 第三代肖特基的工艺

第三代肖特基产品是以SK XXX-3G ，3G为后缀均为我们第三代肖特基型号。

德欧泰克肖特基在硅晶圆基础上进行更新，自主研发的第三代肖特基特殊制作的工艺与结构，该结构是在 SBR 超势垒工艺的基础作了进一步改善与创新，并且该工艺是专利技术，从如下4张结构图得知，在金属面作了重叠加厚同时把N-中的P型保护环结构沟槽挖深与增加大，这样可以使肖特基正向导通电压V_F减到最低，减少输出损耗，增加输出效率，同时也会把反向漏电流I_R减少，以致增加产品寿命与整机的可靠性。

1.2 第3代肖特基比第2代肖特基优势：

1.2.1 chip size 我们缩小到76%，同时可以把成本进一步降低；

1.2.2 正向导通压降减少

PPS1045-3G，采用TO-277封装，VF= 320mV@IF=5A /150°C

100% 是第二代肖特基，76%是第三代肖特基

1.2.3 反向漏电流， chip size越小反向漏电流也越小，其中SK310 SMC IR=8uA@ VRRM=100V

100% 是第二代肖特基，76%是第三代肖特基

2. 第三代肖特基在极性保护应用电路选型推荐以及应用的优势

推荐型号：

通过SMA封装的SK34SMA-3G 与竞争对手参数对比，说明德欧泰克SK34SMA-3G优势性：

SGL2-40-3G 为快充方案所开发，主要是体积更小，漏电流更小。

3. 第三代肖特基在电源输出整流选型推荐以及应用的优势；

推荐型号：

SK54-3G与竞争对手相比较：

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