【经验】德欧泰克基于硅晶圆的第3代肖特基二极管在极性保护/电源输出整流应用中的优势
肖特基对我们工程使用者来讲并不陌生，肖特基工艺与普通二极管工艺完全不同，普通二极管PN结直接构造而成，肖特基需要表面加上金属层与外加工P型保护环与底部N形成PN结，由于此原因，所以肖特基的VF值进一步减低原来硅材料导通压，同时把漏电流控制下来。 随着碳化硅-肖特基问世，高于200V以上应用则需要选择碳化硅-肖特基，低于或等于200V低成本则选择原材料硅-肖特基 。
德欧泰克一直专注原材料硅-肖特基的创新，目前肖特基已经发展为第3代技术，该技术比MOS沟槽更有卓越性，性能更加稳定。德欧泰克在肖特基二极管上可以提供工业等级与车规ACE-Q101的等级。本章主要介绍以下3点内容：
第三代肖特基工艺；
第三代肖特基二极管在极性保护应用电路选型推荐以及应用优势；
第三代肖特基二极管在电源输出整流选型推荐以及应用优势；
1. 第三代肖特基的工艺以及优势
1.1 第三代肖特基的工艺
第三代肖特基产品是以SK XXX-3G ，3G为后缀均为我们第三代肖特基型号。
德欧泰克肖特基在硅晶圆基础上进行更新，自主研发的第三代肖特基特殊制作的工艺与结构，该结构是在 SBR 超势垒工艺的基础作了进一步改善与创新，并且该工艺是专利技术，从如下4张结构图得知，在金属面作了重叠加厚同时把N-中的P型保护环结构沟槽挖深与增加大，这样可以使肖特基正向导通电压VF减到最低，减少输出损耗，增加输出效率，同时也会把反向漏电流IR减少，以致增加产品寿命与整机的可靠性。
1.2 第3代肖特基比第2代肖特基优势：
1.2.1 chip size 我们缩小到76%，同时可以把成本进一步降低；
1.2.2 正向导通压降减少
PPS1045-3G，采用TO-277封装，VF= 320mV@IF=5A /150°C
100% 是第二代肖特基，76%是第三代肖特基
1.2.3 反向漏电流 ， chip size越小反向漏电流也越小 ，其中SK310 SMC IR=8uA@ VRRM=100V
100% 是第二代肖特基，76%是第三代肖特基
2. 第三代肖特基在极性保护应用电路选型推荐以及应用的优势
推荐型号：
通过SMA封装的SK34SMA-3G 与竞争对手参数对比，说明德欧泰克SK34SMA-3G优势性：
SGL2-40-3G 为快充方案所开发，主要是体积更小，漏电流更小。
3. 第三代肖特基在电源输出整流选型推荐以及应用的优势；
推荐型号：
SK54-3G与竞争对手相比较：
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Forward Voltage VF[V]
|
Forward Voltage IF[A]
|
Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Leakage Current IR[µA]
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Leakage Current VR[V]
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Junction Capacitance Cj[PF]
|
Junction Capacitance VR[V]
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15SQ045-3G
|
Schottky Diodes
|
Axial
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D5.4x7.5
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45
|
15.00
|
150
|
0.55
|
15.00
|
290.00
|
200.000
|
45
|
720
|
4
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