【经验】德欧泰克基于硅晶圆的第3代肖特基二极管在极性保护/电源输出整流应用中的优势

2020-04-04 Diotec
肖特基二极管,SK34SMA-3G,SGL2-40-3G,​PPS1045-3G 肖特基二极管,SK34SMA-3G,SGL2-40-3G,​PPS1045-3G 肖特基二极管,SK34SMA-3G,SGL2-40-3G,​PPS1045-3G 肖特基二极管,SK34SMA-3G,SGL2-40-3G,​PPS1045-3G

肖特基对我们工程使用者来讲并不陌生,肖特基工艺与普通二极管工艺完全不同,普通二极管PN结直接构造而成,肖特基需要表面加上金属层与外加工P型保护环与底部N形成PN结,由于此原因,所以肖特基的VF值进一步减低原来硅材料导通压,同时把漏电流控制下来。 随着碳化硅-肖特基问世,高于200V以上应用则需要选择碳化硅-肖特基,低于或等于200V低成本则选择原材料硅-肖特基 。 


德欧泰克一直专注原材料硅-肖特基的创新,目前肖特基已经发展为第3代技术,该技术比MOS沟槽更有卓越性,性能更加稳定。德欧泰克在肖特基二极管上可以提供工业等级与车规ACE-Q101的等级。本章主要介绍以下3点内容:

第三代肖特基工艺;

第三代肖特基二极管在极性保护应用电路选型推荐以及应用优势;

第三代肖特基二极管在电源输出整流选型推荐以及应用优势;


1. 第三代肖特基的工艺以及优势

1.1 第三代肖特基的工艺  

第三代肖特基产品是以SK XXX-3G ,3G为后缀均为我们第三代肖特基型号。

德欧泰克肖特基在硅晶圆基础上进行更新,自主研发的第三代肖特基特殊制作的工艺与结构,该结构是在 SBR 超势垒工艺的基础作了进一步改善与创新,并且该工艺是专利技术,从如下4张结构图得知,在金属面作了重叠加厚同时把N-中的P型保护环结构沟槽挖深与增加大,这样可以使肖特基正向导通电压VF减到最低,减少输出损耗,增加输出效率,同时也会把反向漏电流IR减少,以致增加产品寿命与整机的可靠性。

1.2   第3代肖特基比第2代肖特基优势:

1.2.1  chip size 我们缩小到76%,同时可以把成本进一步降低;

1.2.2 正向导通压降减少 

PPS1045-3G,采用TO-277封装,VF= 320mV@IF=5A /150°C

100% 是第二代肖特基,76%是第三代肖特基  


1.2.3 反向漏电流 , chip size越小反向漏电流也越小 ,其中SK310 SMC IR=8uA@ VRRM=100V 

100% 是第二代肖特基,76%是第三代肖特基  

2. 第三代肖特基在极性保护应用电路选型推荐以及应用的优势 



推荐型号:


通过SMA封装的SK34SMA-3G 与竞争对手参数对比,说明德欧泰克SK34SMA-3G优势性:

SGL2-40-3G 为快充方案所开发,主要是体积更小,漏电流更小。


3. 第三代肖特基在电源输出整流选型推荐以及应用的优势;

推荐型号:

SK54-3G与竞争对手相比较:

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