【应用】1200V的SiC FET助力1KW DC-DC电源，可直接替换Si MOS，导通电阻仅150mΩ
在工业生产中，产线上许多电源设备都会用到高压直流电源设备，其中高压DC/DC电源输入电压的提高，可减少电缆耗铜量，线路损耗也会降低，可有效节省电源设备的耗电量，以节省生产成本。
如图1为高压直流输入DC/DC变换LLC电路拓扑图，有客户做1KW功率、输入电压范围在600VDC~750VDC高压的DC-DC电源产品，主要的功率开关管采用1200V~1500V的Si MOSFET，但在如此高压输入的运用中使用1200V/1500V的Si MOS成本上会增加，以及电源转换效率方面也会有所下降；本文主要介绍UnitedSiC（联合碳化硅）的1200V SiC FET UJ3C120150K3S在1KW DC-DC电源中的运用优势。
图1：高压直流输入DC/DC变换LLC电路拓扑图
UJ3C120150K3S在1KW DC-DC电源运用中主要有以下优势：
1、UJ3C120150K3S虽是一种SiC FET产品，但其门极电压VGS范围是+/-25V，这与硅的超级结mos 的驱动电压一般在0~12V范围可兼容替换，也就是说客户可在不改变驱动电路设计基础上直接替换硅的超结MOS，可有效提高研发效率；同时高的门极电压，有效提高门极电压震荡，提高器件的可靠性；
2、UJ3C120150K3S的VDS电压为1200V，满足输入电压范围在600VDC~750VDC高压的运用场合；
3、典型导通电阻是150mΩ，最大导通电阻仅180mΩ，相对于硅的超级结mos在同一电压等级下，导通电阻至少减低一般以上，可有效减小导通损耗，提高电源效率；
4、采用TO-247主流封装，对比以前采用TO-247封装的硅的超结MOS 可直接替换使用，方便研发设计电路，有效加快研发速度；
5、工作结温和存储温度范围均为-55~175℃，适合工业生产环境温度较高的使用场合。
图2：UJ3C120150K3S封装以及管脚定义图
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