【产品】载波频率30~300KHz的UM2082F08三通道低频无线唤醒ASK接收芯片，采用低功耗设计

时间： 2022-11-10 来源：广芯微电子

技术问答

UM2082F08是广芯微电子（广州）股份有限公司研制的基于单周期8051内核的超低功耗8位、具有三通道低频无线唤醒ASK接收功能的SOC芯片。该三通道低频无线唤醒ASK接收芯片可检测30KHz~300KHz范围的LF（低频）载波频率数据并触发唤醒信号，同时可以调节接收灵敏度，确保在各种应用环境下实现可靠唤醒，其拥有的三个独立通道可配置成不同的唤醒模式且每个通道都具有RSSI检测功能，支持多种数据率的配置，支持曼彻斯特编码方式。此外，芯片内部集成了32KB的Flash、最大2KB+256B的SRAM、12位1Msps的SAR ADC以及UART、SPI、I²C、PWM等通用外围通讯接口。

UM2082F08具有资源高整合度、高抗干扰性能、高可靠性、低功耗设计以及极简外围器件等技术特点。内置高速时钟ROSC、LDO和POR模块，板级电路可免晶振、LDO、复位电路。低频无线唤醒采用独立的内部集成时钟信号发生器，时钟源来自内部RC振荡器（32KHz），用户无需进行外部校准就能让芯片发挥出最佳性能。支持Keil MDK通用集成开发环境，支持C语言和汇编语言进行软件开发。

产品图

产品特性

●低频无线唤醒（不含MCU）

-三个独立天线通道：X/Y/Z轴

-载波频率范围：30KHz~300KHz

-最远唤醒距离：大于10m

-接收灵敏度：<70uVrms

-数据率：1kbps~8kbps

-低功耗：

三通道轮询扫描模式：2.9μA

三通道间歇运行模式：2.1μA

单通道间歇运行模式：1.7μA

●超低功耗电源管理系统（不含低频无线唤醒）

-0.59μA@3.0VDeepSleep+定时唤醒，低速时钟运行，IO、SRAM以及寄存器数据保持

-0.32μA@3.0VStop模式，所有时钟停止，IO、SRAM以及寄存器数据保持

-95μA/MHz@3.0VActive模式

-内置ROSC/LDO/POR模块，板级系统可免去晶振/LDO/复位电路

●处理器

-8位高性能8051单片机

-单周期指令集，系统最高主频24MHz

-0等待周期取指@0~16MHz

●存储器

-RAM：Idata 256B，Xdata 2KB

-32KB eFlash：

Sector大小：512B

Sector擦除时间：5ms

Byte编程时间：7.5μs

擦写次数：20,000次

数据保存时间：100年@常温

●定时/计数器

-2个16位通用定时器T0/T1，可作LPTimer用

-1个16位低功耗定时器LPTimer，支持PWM输出

-1个看门狗WDT

●时钟

-内部高速时钟RCH：24MHz

-内部低速时钟RCL：32KHz

-低频无线唤醒内部独立RC振荡器：32KHz

●外围接口

-PWM：2路16位PWM输出（含LPTimer中1路）

-UART：2个增强型串口UART0/UART1

-ADC：6通道12位SAR ADC，1Msps采样速率

-I²C：主/从模式，速率400Kbps（max）

-SPI：1路，主/从模式，Mode0/1/2/3协议，最高速率12Mbps

-GPIO：最大11个，内置上/下拉可配置

●安全

-硬件级防抄板设计

-低电压检测LVD，可监控电源电压

-掉电复位LVR，防死机设计

-16字节全球唯一芯片序列号UID

●电气参数

-工作电压：2.0V~3.6V

-工作温度：-40°C~+85°C

-ESD保护：3KV（HBM）

●开发支持

-内置Boot引导程序，支持UART下载，支持ISP和IAP应用程序更新

-完整SDK开发包、EVB硬件开发套件

-离线烧录器和量产工具支持

应用场景：

PKE无钥匙门禁系统

智能交通，智慧城市，智能家居

智能门锁，资产追踪、无线监控等智能传感器终端应用

工业物联网终端应用

玩具控制等通用控制器应用

功能框图

封装及描述

封装管脚分布

图：QFN20封装管脚分布图

信号描述

表：引脚功能说明

说明：

A–模拟信号；D–数字信号；I–Input；O–Output；G–Ground；P–Power；PU–pull up上拉；PD–pull down下拉；HZ–高阻状态。

电气参数

绝对最大额定值

外部条件如果超过“绝对最大额定值”列表中给出的值，可能会导致器件永久性地损坏。这里只是给出能承受永久性损坏的最大载荷，并不意味着在此条件下器件的功能性操作无误。器件长期工作在最大值条件下会影响器件的可靠性。

表：芯片绝对最大额定值表

注意：

*：IO管脚的输入电压不可超过VDDH电压值，否则会造成芯片损坏

通用工作条件

表：通用工作条件

低频无线唤醒功耗值（不含MCU）

表：各工作模式下功耗表

低频无线唤醒通道建立时间

表：通道建立时间表

低频无线唤醒接收灵敏度

表：接收灵敏度表

DC参数

静态参数（使用温度范围：Tamb=-40℃~+85℃）

表：静态参数表

[1]典型值范围不保证。列表里的值都是在正常电压和室温下取得的。

IO特性

表：IO 特性表

交流AC参数

输出特性

表：端口输出特性表

输入特性

表：端口输入特性表

内部RCH振荡器（MCU）

除非特别说明，否则VDDH=3.3V，TA=-40~+85°C。

表：RCH振荡器特性表

内部RCL振荡器（MCU）

除非特别说明，否则VDDH=3.3V，TA=-40~+85°C。

表：RCL振荡器特性表

低频无线唤醒内部独立RC振荡器

表：RC振荡器表

低频无线唤醒内部独立LC振荡器

表：LC振荡器表

VDT电压检测(LVR/LVD)

除非特别说明，否则VDDH=3.3V，TA=-40~+85°C。

表：LVR低电压检测特性表

表：LVD低电压检测特性表

12位A/D转换器

以下电气特性数据在(TA)=25℃，VDDA=3.3V和VDDD15=1.5V下测得。

表：ADC特性表

说明：

用户必须保证TS≥4/Fclk。

当TS增加时，采样时间也随着TS增加

内存擦/写特性

表：内存擦/写特性表

低功耗模式返回时间

表：低功耗模式返回时间表

封装尺寸

QFN20（4*4mm）

图：QFN20封装图

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