【产品】650V/24A的碳化硅肖特基二极管B1D10065KF，采用TO-220F-2L封装
基本半导体（BASiC）推出的碳化硅肖特基二极管B1D10065KF，采用TO-220F-2L封装，具有出色的抗浪涌电流能力，反向电流极低，反向浪涌峰值电压为650V，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流24A，采用TO-220F-2L封装，工作温度为-55~175°C ，基本没有开关损耗，可应用于开关电源（SMPS），不间断电源，电机驱动器等。
图1 产品图
特点
· 反向电流极低
· 没有反向恢复电流
· 与温度无关的开关特性
· 正向电压（VF）的温度系数为正
· 出色的抗浪涌电流能力
· 电容电荷低
优势
· 基本没有开关损耗
· 比硅二极管更能提高系统效率
· 提高功率密度
· 实现更高的开关频率
· 降低对散热器的要求
· 磁性元件更小，节省系统成本
· 降低了EMI
应用：
· 开关电源（SMPS）
· 不间断电源
· 电机驱动器
· 功率因数校正
封装引脚定义
1- Pin1-阴极
2- Pin2-阳极
图2 引脚图
1、最大额定值
2、热特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由赚钱养太阳翻译自基本半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。
【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，DFN 8*8封装
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B2D10065Q，反向重复峰值电压最大额定值650V，连续正向电流最大额定值10A，具有反向电流极低，无反向恢复电流，VF具有正温度系数等特点，采用DFN 8*8封装。
【产品】国产1200V碳化硅肖特基二极管B1D20120H，TO-247-2封装
基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D20120H，反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流为20A，总电容电荷为101nC，采用TO-247-2封装，不含卤素，符合RoHS标准。
【应用】碳化硅肖特基二极管用于PFC电路，有效减少开关损耗进一步提高效率
在电源PFC电路中使用碳化硅肖特基二极管有很多好处，基本半导体在本文中进行了论证。首先电源效率得到了显著提高，在其他条件不变时，只需更换二极管就能减小损耗；同时，由于不再需要考虑软开关或无损吸收技术，电源的开发周期进一步缩短，元件数量减少，电路结构也进一步简化；更重要的是它减小了对周围电路的电磁干扰，提高了电源的可靠性，使产品具有更强的竞争力。
基本半导体碳化硅肖特基二极管选型表
提供基本半导体碳化硅肖特基二极管选型，抗浪涌电流能力强高，反向漏电低，覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A
|
产品型号
|
品类
|
VRRM
|
IF
|
IFSM
|
VF
|
Ptot
|
QC
|
|
B1D02065K
|
碳化硅肖特基二极管
|
650V
|
2A
|
16A
|
1.4V
|
39W
|
6.8nC
|
选型表 - 基本半导体 立即选型
【产品】具有独立温度开关的碳化硅肖特基二极管B2D20065F，反向重复峰值电压650V
基本半导体推出的B2D20065F碳化硅肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的；可用于设计650V额定电压的肖特基二极管；关断时不存在反向恢复现象，比硅二极管系统效率更高，最小的容性关断行为受温度影响小，可以应用于不间断电源、电机驱动器等。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论