【产品】亚成微新推氮化镓功率集成电源芯片RM6820NQ系列，具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点

【IC】东科推出业界首款AHB合封氮化镓芯片DK8710Q，待机功耗＜50mW，进一步提升充电器转换效率

东科半导体推出了行业首款内部集成两颗氮化镓功率管的AHB合封芯片，不对称反激相比传统反激，能够将漏感能量回收利用，实现主开关管的ZVS，同步整流管的ZCS，降低开关损耗对效率的影响，从而提升转换效率。

【产品】必易微推出65W合封氮化镓快充方案，减小寄生参数引起的振铃过冲以提高充电器稳定性

随着氮化镓快充的普及，将氮化镓器件与控制器及驱动器等封装在同一颗芯片内部，逐渐成为主流高效的解决方式。通过将传统氮化镓电源中两颗到三颗芯片集成到一起，既精简了电源设计，也大大降低了PCB占板面积，满足快充充电器易生产、高性价比的追求。必易微推出了两款采用DFN8*8封装的合封氮化镓芯片，其中KP22066内置了165mΩ氮化镓开关管，单颗芯片支持100W功率输出。

【IC】英诺赛推出采用InnoGaN设计的1KW电源模块，实测效率超98%，实现高效率和高功率密度优势

英诺赛科推出一款1000W方案，利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，输出功率达到1000W，效率超98%，实现高效率和高功率密度优势。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片，易驱动且无反向恢复，适用于硬开关、快充等应用

泰高技术提供氮化镓电源芯片产品，芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET，适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动，无反向恢复的优势，非常适合于硬开关应用。

东科半导体合封氮化镓芯片应用案例汇总

东科半导体推出的氮化镓合封芯片DK036G、DK045G、DK065G、DK075G将三款芯片合为一体，有效降低占板空间，简化电路设计，降低制造成本。因此，东科半导体的合封氮化镓芯片才能被安克、联想、意象等多家厂商的11款产品采用。

【应用】诚芯微30W氮化镓合封芯片CX75GE030D，专为IPhone15充电器设计，为快速安全充电保驾护航

诚芯微推出30W氮化镓合封芯片CX75GE030D，专为IPhone15充电器设计！为IPhone15快速充电、安全充电保驾护航！它是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于36W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。并提供了优良的电磁干扰性能，为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台。

【产品】电流控制型PWM开关控制芯片RM6604NDL，支持CCM/QR混合模式，工作频率达85kHz

亚成微电子推出的RM6604NDL是一款内置650V GaNFET，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。

【产品】支持最大120W快充的合封氮化镓电源芯片RM6820NQ，采用先进的3D封装集成技术

亚成微电子​合封氮化镓电源芯片RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术，芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大120W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。

【应用】东科合封氮化镓芯片DK065G助力简化充电器设计，单芯片可实现65W，待机功耗低于50mW

东科半导体的DK065G，是一颗内部集成了650V氮化镓开关管的准谐振反激开关电源功率芯片，最高支持250kHz开关频率。

【产品】氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ，具有高效率、高通流、高导热率等特点，最大输出功率120W

RM6801SQ是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化镓驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高通流、高导热率等特点。

【产品】180mOhm的大功率氮化镓功率芯片TP44200NM，额定电压650V/800V

泰高大功率氮化镓功率芯片TP44200NM额定电压650V/800V，满足中功率移动设备和消费类电力电子市场的需求；采用5x7mm小型QFN封装，拥有专利的集成散热垫，适用于高效率，高功率密度的电源系统，电流承载能力提高了50％。

【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND，具有小体积、高性能、低功耗等特点，支持最大36W快充

合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术，芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大36W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。