【产品】亚成微新推氮化镓功率集成电源芯片RM6820NQ系列，具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点

时间： 2022-10-10 来源：亚成微电子公众号

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近年来，氮化镓快充产品因充电快、发热小以及体积小备受消费者喜爱。随着消费需求的日益增长，氮化镓快充的市场规模也在持续扩大，众多快充厂商因此受益，同时越来越多的充电器都开始应用氮化镓功率器件，这无疑加快了行业对氮化镓高功率密度快充产品的创新。随着对氮化镓特性的不断了解，将氮化镓（GaN）与开关电源控制器集成的芯片也开始出现。

作为国内高功率密度快充解决方案的开拓者和创新者，亚成微电子在2022年1月推出了氮化镓（GaN）功率集成开关电源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列，该系列芯片内部集成开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，并具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点。通过功率集成，不仅简化了充电器的设计，还大幅减少了充电器初级元件数量，降低了对PCB板面积的要求，系统成本方面也更具有优势，并实现了高可靠、高效率、高集成的小型化快充电源设计要求。

氮化镓功率集成电源芯片RM6820NQ

功能特点

支持CCM/QR混合模式；
专有ZVS技术；
内置700V高压启动；
内置650V GaN FET；
最大输出功率120W；
支持最大130KHz工作频率；
内置特有抖频技术改善EMI；
Burst Mode去噪音；
低启动电流（2μA），低工作电流；
集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿；
集成AC输入Brownout/in功能；
外置OVP保护；
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

原理图

氮化镓（GaN）功率集成电源芯片RM6604ND

功能特点

支持CCM/QR混合模式；
内置700V高压启动；
内置650V GaNFET；
最大输出功率36W；
支持最大130KHz工作频率；
内置特有抖频技术改善EMI；
Burst Mode去噪音；
低启动电流（2μA），低工作电流；
集成斜坡补偿；
集成输入Brownout/in功能；
外置OVP保护；
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

原理图

氮化镓功率集成产品系列

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产品型号	品类	分类	最大功率（W）	功率管	工作频率（kHz）	封装形式	应用领域
RM6820NQL	开关电源芯片	副边反馈(SSR)+ZVS	120W	内置GaN	85kHz	PLP8*8	快速充电器、电源适配器、模块电源

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型号- NCA1051,NSI6601B-DSPR,NSI6622B-DSWKR,NSI8221WX,NSI8220CX-DSPR,NSM2017,NCA1021-Q1SPR,NSI6801MB-DSWVR,NSM2013,NIRS485,NSM2015,NSI8240NX,NSM2016,NSC9260X,NSI6622C-DSWR,NSD1015T-Q1SPR,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSC9262,NSI82XX 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