【产品】N沟道功率MOSFET XD004M065BX1漏源电压可达650V，适用于LED电源、手机充电器等

时间： 2023-03-03 来源：XDM

技术问答

芯达茂（XDM）推出的N沟道功率MOSFET XD004M065BX1 ，具有出色的R_DS(ON)、低栅极电荷。Tc=25℃时漏源电压可达650V，连续漏极电流为4ATc=25℃。适用于LED电源、手机充电器等。

产品特征

R_DS(on)=2.92 Ω (Max.) @V_GS=10 V，I_D=2 A
低栅极电荷
低输入电容（Ciss）
快速切换

产品应用

LED电源
手机充电器
备用电源

关键性能和封装参数

绝对最大额定值（若无其他注明，T_C =25 °C）

注

1.L=10 mH， I_AS=3.4 A， V_DD=50 V， R_G=25 Ω，Starting T_J=25 °C.

热阻数据

电气特征（若无其他注明，T_C =25 °C）

二极管特性（若无其他注明，T_C =25 °C）

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产品型号	品类	Polarity	V(BR)DSS(V)	Id(A)	Pd(W)	VGS(V)	IDM(A)	Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V	Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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