【产品】N沟道功率MOSFET XD004M065BX1漏源电压可达650V，适用于LED电源、手机充电器等
芯达茂（XDM）推出的N沟道功率MOSFET XD004M065BX1 ，具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷。Tc=25℃时漏源电压可达650V，连续漏极电流为4ATc=25℃。适用于LED电源、手机充电器等。
产品特征
RDS(on)=2.92 Ω (Max.) @VGS=10 V，ID=2 A
低栅极电荷
低输入电容（Ciss）
快速切换
产品应用
LED电源
手机充电器
备用电源
关键性能和封装参数
绝对最大额定值（若无其他注明，TC =25 °C）
注
1.L=10 mH， IAS=3.4 A， VDD=50 V， RG=25 Ω，Starting TJ=25 °C.
热阻数据
电气特征（若无其他注明，TC =25 °C）
二极管特性（若无其他注明，TC =25 °C）
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