【产品】采用PDFN5X6封装的N沟道增强型MOSFET APG048N10G，适用于高频开关和同步整流
铨力半导体推出具有优异的稳定性和一致性的N沟道增强型MOSFET APG048N10G，采用PDFN5X6封装。适用于高频开关、同步整流。
特性
100V，100A
RDS（ON）<4.8mΩ＠VGS=10V TYP:4.0mΩ
RDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=4.5V TYP:6.0 mΩ
低RDS(on)&FOM
极低的开关损耗
优异的稳定性和一致性
100%UIS测试，100%△VDS测试
符合RoHS和无卤素标准
应用
高频开关
同步整流
包装标识和订购信息
绝对最大额定值（Ta=25℃除非另有说明）
MOSFET电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
Notes:
1. RθJC值是在空气环境温度为TA=25℃并且在所允许的最大结温为150℃的条件下测量。在任何特定的应用中，其值取决于用户的具体电路板设计。
2. 耗散功率PD基于TJ(MAX)=150℃，使用结到壳的热阻，并且在为使用额外散热装置的情况设定耗散上限时更有用。
3. 单脉冲宽度受结温限制TJ(MAX)=150℃。
4. RθJA是结到壳的热阻RθJC和壳到环境热阻之和。
5. 最大电流额定值受封装限制。
6. EAS数据显示最大额定值。测试条件为VDS=50V，VGS=10V，L=0.5mH。
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