【产品】1200V N沟道MOSFET ASR50N1200D88，符合RoHS标准，通过雪崩测试，最高结温达150°C
ASR50N1200D88是爱仕特推出的一款N沟道 MOSFET，器件采用了一种全新的技术。与硅MOSFET相比，该技术可提供优异的开关性能以及更高可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片封装特性可保证芯片具有低电容和低栅极电荷特点。因此，该器件的优点包括效率最高、工作频率更快、增强型功率密度、降低EMI干扰并能够减小系统尺寸。
产品特性
集成低电容特性的高速开关
低漏源通态电阻，实现高耐压特性
采用标准栅极驱动器,驱动简单
经过100%雪崩耐量测试
最高结温150°C
器件符合RoHS标准
产品应用
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高压DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
绝对额定最大值（Tc=25℃）
电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)
（1）典型性能-静态特性
（2）典型性能-二极管反向特性
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