【产品】高压单N沟道增强型SiC MOSFET S2M0025120K，导通电阻典型值25mΩ

时间： 2022-07-19 来源：SMC

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S2M0025120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压单N沟道增强型SiC MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗，并可表现出非常稳定的开关特性，对于严苛环境下的能源敏感型应用和高频应用来讲是理想选择。

产品封装及标记

电路框图

产品特点

• 正温度特性，易于并联

• 低导通电阻，R_DS(ON)=25mΩ（典型值）

• 开关速度快，开关损耗低

• 非常快且高鲁棒性的内部体二极管

• 非光亮镀锡工艺

应用

• 电动汽车快速充电模块

• 电动汽车车载充电器

• 太阳能逆变器

• 在线UPS/工业UPS

• 开关电源SMPS

• DC-DC转换器

• 储能系统ESS

最大额定参数(T=25℃，除非特别说明)

电气参数(T=25℃，除非特别说明)

反向二极管特性

热特性

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