【产品】-40V/-14A P沟道增强型MOSFET PJQ4453P-AU,采用DFN3333-8L封装

2019-10-18 PANJIT
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PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJQ4453P-AU是PANJIT公司推出的一款采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFET(-40V/-14A)。


该P沟道增强型MOSFET特点:

•RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-8A<45mΩ

•RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4A<68mΩ

•先进的沟槽工艺技术

•极低的导通电阻高密度的单元设计

•AEC-Q101认证

•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准

•绿色环保塑封,符合IEC 61249标准

 


机械数据:

•外壳:DFN3333-8L封装

•端子:可焊性均符合MIL-STD-750标准(方法2026)

•重量约:0.001盎司,0.03克

 

表1 该MOSFET最大额定值


表2 该MOSFET电气特性:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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