【经验】一文介绍隔离驱动IGBT是什么功率器件
关于隔离驱动IGBT功率器件,你了解多少呢?像IGBT这样的功率器件,需要有充分的保护,避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等造成的损害。那么隔离驱动IGBT是什么功率器件呢?本文SLKOR为您介绍。
图 1
●有哪些故障保护功能?它们都集成在隔离驱动器中吗?
所有三种故障保护功能都集成到Avago高度集成的栅极驱动器ACPL-33xJ -UVLO(避免在VCC2电平不足时开启IGBT)、DESAT(防止IGBT过流或短路)和米勒箝位(防止寄生米勒电容导致IGBT误触发)中。
●对于工作在600V直流母线的30 ~ 75A、1200V IGBT、ACPL-33x、ACPL-H342这种带米勒钳位保护的栅极驱动光耦能否仅用单电源供电来实现高可靠性驱动,其可靠性会比传统正负电源更高还是更差?AvagoACPL-332J,ACPL-333J以及ACPL-H342的门极驱动光耦可以输出电流2.5A。这些产品适合驱动1200V,100A类型的IGBT。
●使用负电源时,不需要使用米勒箝位,但会在负电源上花费额外的成本。
●如果只能使用单个电源,设计师可以使用内置的有源米勒箝位电路。
这两种解决方案同样可靠。不使用时,米勒箝位引脚需要连接到VEE。
●光伏逆变器需要安装在电厂中,其环境温度相当恶劣。光耦的工作环境温度范围是多少?
工作温度范围非常宽,可达-40至105,该温度范围足以满足工业应用。如果客户需要更高的工作温度,R2耦合器光耦合器可以在125的扩展温度下工作。
●光耦的绝缘耐压有多高?
不同的栅极驱动光耦合器有不同的封装。每个封装都有自己的特性,例如不同的爬电距离和间隙,可以匹配不同的应用,也可以对应不同的工作隔离电压,即Viorm,最大Viorm间隔范围为566伏至2262伏。
●光耦栅极驱动器的最大输出电流是多少?
根据所选器件型号,Avago的光耦栅极驱动器最大输出电流可达0.4A、0.6A、1.0A、1.5A、2.5A、3.0A、4.0A和5.0A。
●如何避免米勒效应
IGBT工作中的一个问题是米勒效应引起的寄生电容。这种效应在0到15V类型的栅极驱动器(单电源驱动器)中很明显。栅极和电极之间的耦合存在IGBT关断期间高dV/dt瞬变引起的寄生IGBT 道通(栅极-集电极电压尖峰)的潜在危险。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自SLKOR,原文标题为:隔离驱动IGBT是什么功率器件?,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形?
本文以vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动(SID1182K)为例,介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。
选MOS管,选IGBT管?看了这篇就知道
在电路设计中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?本文介绍MOS管和IGBT管区别。
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理,关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)为例,验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器,采用多路BOOST升压电路,减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况,最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑,开关频率支持16kHz(最佳频率点),效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET,单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时,在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计,集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
萨科微碳化硅SiC二极管、IGBT管等产品已通过加州65测试、ISO9001、SGS、ROHS和REACH认证
在全球化和市场竞争日益激烈的今天,萨科微始终致力于提供符合[敏感词]标准的产品,并确保消费者的安全和信任。萨科微产品已通过加州65测试、ISO9001、SGS、ROHS和REACH认证,萨科微已经在产品合规性方面迈出了坚实的一步。
【应用】大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片EG2131用于电动玩具车,耐压可达300V
电动玩具车中的电机靠MOS管搭建桥式电路来驱动。本文推荐屹晶微电子栅极驱动芯片EG2131,高端的工作电压可达300V,低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V,静态功耗小于100μA;最高频率支持500kHz,输出电流能力IO+/- 1A/1.5A。
【应用】国产大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片EG3116可用于无人机,耐压可达600V
无人机上的螺旋桨采用无刷电机进行控制,会使用到一颗栅极驱动芯片,本文介绍的是屹晶微电子推出的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片EG3116在无人机上的应用。
【应用】国产驱动光耦QX3120助力光储逆变器IGBT驱动设计,高达2.5A驱动能力
针对逆变器的设计,离不开IGBT/MOS这类全控型的功率半导体器件,首先在驱动设计时必须考虑到隔离,为了保证控制器安全可靠的工作,在设计IGBT驱动时需要通过一款隔离驱动芯片来对控制单元发出的驱动信号进行隔离保护。本文重点介绍关于国产群芯微的栅极驱动光耦QX3120助力光储逆变器驱动设计。
【产品】大功率MOS/IGBT管驱动芯片EG2132,电源电压范围宽8V~20V,静态功耗低
屹晶微电子的EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
【IC】荣湃推出单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,具备高达5700V RMS的隔离耐压能力
荣湃单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,设计用于直流工作电压高达2121Vpk的IGBT,Si MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管,芯片内部集成多种保护,如供电欠压保护、退饱和过流保护、软关断、米勒钳位、故障报警等,能够在驱动功率器件的同时监控其工作状态,使其安全运行。适用于电机驱动、光伏逆变、开关电源、车载充电器和充电桩等领域。
【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的?
本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
【应用】华大半导体单通道隔离栅极驱动器HSA6880用于三相永磁同步电机驱动,峰值电流高达3.5A
本文介绍了华大半导体的单通道隔离栅极驱动器HSA6880用于三相永磁同步电机的驱动方案。该产品峰值电流高达3.5A,采用了电流隔离技术,可实现工业和汽车应用所需的3333Vrms输入到输出隔离电压和高瞬态抗扰度(100V/ns)。
数明半导体(Sillumin)车载主逆变器用芯片产品选型指南
目录- 车载主逆变器 驱动芯片 信号与接口芯片 电源管理芯片 汽车行业芯片选型
型号- SILM2186,SILM1051SEN-AQ,SILM59XX 系列,SILM824X,SILM5211CM-AQ,SILM21814,SILM2751XH,SILM826X,SILM5350,SILM5932SHOCG-AQ,SILM1051SCA-AQ,SILM1057SCA-AQ,SILM1044SEN-AQ,SILM1042SCA-AQ,SLMI823X,SILM5202CM-AQ,SILM27624,SILM104XS 系列,SILM6478CB-AQ,SLMI33X,SILM6478,SLMI334CG-DG,SILM1044SCA-AQ,SILM6478GA-AQ,SILM1057SEN-AQ,SILM52XX,SILM1042SEN-AQ,SILM4228X,SILM52XX 系列,SILM105XS,SILM58XX 系列,SILM104XS,SILM58XX,SILM59XX,SILM105XS 系列,SILM57XX,SILM6609,SILM1040SCA-AQ,SILM1050SCA-AQ,SILM1040SEN-AQ,SILM2753X,SILM5851NHCG-AQ,SLMI33X 系列,SILM5991SHCG-AQ,SILM5992SHCG-AQ,SILM1050SEN-AQ,SILM5200CM-AQ,SILM5852SHCG-AQ
【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题
本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例,介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。
【产品】具有1A大电流栅极驱动能力的大功率MOS/IGBT管驱动芯片EG3013
屹晶微电子的EG3013是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论