【产品】采用通孔型TO-220AC、TO-263等封装的碳化硅肖特基势垒二极管系列,有零反向恢复电流
强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列,与硅基础的组件相比,它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。强茂最新发布的650V和1200V碳化硅二极管产品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252AA和新增加TO-247AD-2LD/3LD封装,额定电流范围为4安培(A)至40安培(A)。
强茂的碳化硅肖特基势垒二极管具有零反向恢复电流,低正向压降,高温独立切换开关特性,高浪涌电流能力和出色的热性能。此外,碳化硅技术可以在-55°C至+ 175°C的工作温度范围内提供较低的传导损耗,并具有稳定性和高耐用性。
新型碳化硅肖特基势垒二极管旨在为工程师设计各种应用的功率转换电路,包括PV逆变器,EV充电桩,工业电机,电信和服务器电源以及家用电器,在这些应用中,他们面临着如何在更高的系统效率下实现更小的占板面积的挑战。 强茂提供的650V和1200V碳化硅二极管,是下一代电源系统设计的理想解决方案。
产品特色:
•低传导损耗
•零反向恢复
•高温独立切换
•高浪涌电流能力
•坚固耐用性高
•工作结温达175°C
目标应用:
PV逆变器,EV充电桩,工业电机,电信,服务器电源,家用电器。
产品性能:
SiC SBD产品阵容:
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本文由星晴123转载自PANJIT,原文标题为:强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管 TO-247AD Lineup,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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强茂(PANJIT)碳化硅二极管选型表
SiC Diodes,VRRM = 650 - 1200V, IF = 2 - 40A,高导热材料材料让元件在高温运转仍可保持良好特性,同时兼具「高耐压」,「低导通电阻」,「高速」,提高整体电路设计效能。已开发 650V 与 1200V 相关的品料, 适合工业电源供应与车用电子的高稳度与低需求需求。
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
VRRM(V)
|
IF(A)
|
VF Typ.(V)
|
@IF(A)
|
IR Max.(µA)
|
@VR(V)
|
PD(W)
|
QC(nC)
|
PCDH2065CCG1
|
SiC Diodes
|
TO-247AD-3LD
|
New Product
|
-
|
-
|
650
|
20
|
1.5
|
10
|
70
|
650
|
98
|
24
|
选型表 - PANJIT 立即选型
PCDP08120GB碳化硅肖特基势垒二极管
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品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.0900
现货: 16,490
品牌:PANJIT
品类:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
价格:¥0.0490
现货: 15,940
现货市场
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最小起订量: 3000 提交需求>
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